【2017年整理】磁阻传感器与地磁场测量.pdfVIP

[键入文字] 各向异性磁阻传感器 各向异性磁阻传感器 各各向向异异性性磁磁阻阻传传感感器器 与地磁场测量 与地磁场测量 （AMR）与与地地磁磁场场测测量量 实验指导书 实验指导书 实实验验指指导导书书 北京航空航天大学物理实验中心 2013年3月10日 [键入文字] 各向异性磁阻传感器与磁场测量 物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应，磁阻传感器利用磁阻效应制成。 磁场的测量可利用电磁感应，霍耳效应，磁阻效应等各种效应。其中磁阻效应法发展最 快，测量灵敏度最高。磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化，如弱磁场测量，地磁场 测量，各种导航系统中的罗盘，计算机中的磁盘驱动器，各种磁卡机等等。也可通过磁场变 化测量其它物理量，如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器，各种接近开关， 隔离开关，广泛用于汽车，家电及各类需要自动检测与控制的领域。 磁阻元件的发展经历了半导体磁阻（MR），各向异性磁阻（AMR），巨磁阻（GMR）， 庞磁阻（CMR）等阶段。本实验研究AMR 的特性并利用它对磁场进行测量。 一、实验要求 1．熟悉和了解AMR 的原理 2．测量磁阻传感器的磁电转换特性和各向异性特性 3．测量赫姆霍兹线圈的磁场分布 4．测量地磁场磁场强度，磁倾角，磁偏角 二、实验原理 各向异性磁阻传感器AMR（Anisotropic Magneto-Resistive sensors）由沉积在硅片上的坡 莫合金（Ni Fe ）薄膜形成电阻。沉积时外加磁场，形成易磁化轴方向。铁磁材料的电阻 80 20 与电流和磁化方向的夹角有关，电流与磁化方向平行时电阻R 最大，电流与磁化方向垂直 max 时电阻R 最小，电流与磁化方向成θ角时，电阻可表示为： min 2 R=R ＋(R －R )cos θ min max min 在磁阻传感器中，为了消除温度等外界因素对输出的影响，由4个相同的磁阻元件构成 惠斯通电桥，结构如图1所示。图1中，易磁化轴方向与电流方向的夹角为45度。理论分析 与实验表明，采用45度偏置磁场，当沿与易磁化轴垂直的方向施加外磁场，且外磁场强度不 太大时，电桥输出与外加磁场强度成线性关系。 无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平 行时，磁化方向即易磁化轴方向，电桥的 4 个桥臂 电阻阻值相同，输出为零。当在磁敏感方向施加如 图1所示方向的磁场时，合成磁化方向将在易磁化 方向的基础上逆时针旋转。结果使左上和右下桥臂 电流与磁化方向的夹角增大，电阻减小ΔR；右上与 左下桥臂电流与磁化方向的夹角减小，电阻增大 ΔR。通过对电桥的分析可知，此时输出电压可表示 为： U＝V ×ΔR/R （1） b 式中V 为电桥工作电压，R 为桥臂电阻，ΔR/R b 为磁阻阻值的相对变化率，与外加磁场强度成正比， 故AMR 磁阻传感器输出电压与磁场强度成正比， 图1 磁阻电桥 [键入文字] 可利用磁阻传感器测量磁场。 商品磁阻传感器已制成集成电路，除图1所示的电源输入端和信号输出端外，还有复位/ 反向置位端、补偿端两个功能性输入端口，以确保磁阻传感器的正常工作。 复位/反向置位端的作用是：当AMR置于超过其线性工作范围的磁