第6章 放大电路基础-3.pptVIP

为保证晶体功率管的安全和输出功率的要求，电源及输出功率管参数的选择原则如下： 在栅源间加负电压VGS ，令VDS =0 ①当VGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 （2）漏源电压对沟道的控制作用 （1）输出特性曲线： ID=f（ VDS ）│VGS=常数 场效应管的主要参数 (1) 开启电压VT VT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 双极型和场效应型三极管的比较 增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 场效应管的交流小信号模型 其中：rgs是输入电阻，理论值为无穷大。 gmvgs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。称为低频跨导。 rd为输出电阻，类似于双极型晶体管的rce。 rDS = ? UDS / ? ID 很大，可忽略。 压控电流源 S G D id 跨导gm = ? ID / ? UGS 场效应管的微变等效电路 很大， 可忽略。 场效应管的微变等效电路为： G S D uGS iD uDS S G D ugs gmugs uds S G D rDS ugs gmugs uds (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对