实验二MOS反相器电压传输特性.doc

实验二 MOS反相器电压传输特性 姓名 学号 电阻型MOS反相器 参照讲义，请将电阻型MOS反相器的电路连接图（schematic）截屏并粘贴到以下空白处（包含I/O Pin以及电压源）： 将其中NMOS管参数设为L=0.18um，W=1um，电阻R为5kΩ，试运行仿真得到其对应的电压传输特性曲线Vout-Vin，观察并记录VM以及VOH，并截屏粘贴到以下空白处（包含Vout=Vin的参考线） 在模拟环境（Analog Environment）中设置“plotting mode”为“Append”，然后将电阻值改为10 kΩ和20 kΩ，将三组电压传输特性曲线plot在同一个窗口中，观察并记录VM以及VOL随电阻R的变换，并将窗口截屏粘贴到以下空白处： 通过修改电阻R的值，将VOL调整到20mV以下，记录对应的电阻值并将其电压传输特性曲线窗口截屏粘贴到以下空白处： 增强/增强型MOS反相器（EE MOS） 参照讲义，请将EE MOS反相器的电路连接图（schematic）截屏并粘贴到以下空白处（包含I/O Pin以及电压源，注意负载管衬底的接法）： 将其中驱动管参数设为L=0.18um，W=1um，并将负载管也设成同样参数，试运行仿真得到其对应的电压传输特性曲线Vout-Vin，观察并记录VM以及VOH，注意其阈值损失（Vdd-VOH），最后将曲线窗口截屏粘贴到以下空白处（包含Vout=Vin的参考线） 在模拟环境（Analog Environment）中设置“plotting mode”为“Append”，然后将负载管参数改成2倍（即L=0.18um，W=2um）和0.5倍（即L=0.18um，W=0.5um），将三组电压传输特性曲线plot在同一个窗口中，观察并记录VM以及VOL随负载管参数的变换，并将窗口截屏粘贴到以下空白处： 通过修改驱动管和负载管的宽长比，将VOL调整到50mV以下，记录对应的两个管的宽长尺寸，并将其电压传输特性曲线窗口截屏粘贴到以下空白处： CMOS反相器 参照讲义，请将CMOS反相器的电路连接图（schematic）截屏并粘贴到以下空白处（包含I/O Pin以及电压源，注意管衬底的接法）： 将其中NMOS管参数设为L=0.18um，W=1um，并将PMOS管也设成同样参数，试运行仿真得到其对应的电压传输特性曲线Vout-Vin，观察并记录VM，VOH，以及VOL，最后将曲线窗口截屏粘贴到以下空白处（包含Vout=Vin的参考线） 在模拟环境（Analog Environment）中设置“plotting mode”为“Append”，然后将PMOS管参数改成2倍（即L=0.18um，W=2um）和倍（即L=0.18um，W=um），将三组电压传输特性曲线plot在同一个窗口中，观察并记录VM随PMOS管参数的变换，并将窗口截屏粘贴到以下空白处： 通过修改PMOS管和NMOS管的宽长比，将VM调整到0.9V，记录对应的两个管的宽长尺寸，并将其电压传输特性曲线窗口截屏粘贴到以下空白处： 实验二 MOS反相器电压传输特性 集成电路CAD 深圳大学电子科学与技术学院微电子学专业 7