退火对非晶Al2O3高k栅介质薄膜特性的影响-河北师范大学学报.PDFVIP

第 3 1 卷/ 第 3 期/ 河北师范大学学报/ 自然科学版/ Vol . 3 1 No . 3 2007 年 5 月 J OURNAL OF HEBEI NORMAL UNIVERSITY/ Natural Science Edition/ May. 2007 退火对非晶Al O 高 k 栅介质薄膜特性的影响 2 3 1 2 2 1 郭得峰 , 　侯春良 , 　侯明玉 , 　徐天赋 ( 1. 燕山大学 理学院 ,河北 秦皇岛　066004 ; 2 . 燕山大学 信息学院 ,河北 秦皇岛　066004) 摘 要 :利用射频反应溅射方法制备了Al O 非晶薄膜 ,用椭圆偏振仪获得了薄膜的厚度 ,用高频 C - V 和变 2 3 ( ) ( ) 频 C - V 及J - V 测量了薄膜的电学特性 ,用 X 射线以衍射 XRD 检测了薄膜的结构 ,用原子力显微镜 A FM 观 察了薄膜的表面形貌. 实验得到了电学特性优异的薄膜样品 ,对薄膜的退火研究发现 ,氮气低温退火使 Al2 O3 薄膜 的介电常数得到了提高并使漏电流特性得到了改善. 可以认为 ,氮气退火消除了薄膜中原有的缺陷 ,并使得薄膜更 加致密是主要的原因 ,而过高温度的退火会导致氧化铝中少量的氧的损失 ,从而导致了氧化铝层中固定电荷密度 的增大 ,进而出现了大的平带电压. XRD 显示样品的非晶特性非常稳定 ,A FM 显示薄膜表面非常平整 ,能够满足大 规模集成电路短期的发展需要. 关键词 :高 k 栅介质 ; 氧化铝 ; 射频反应溅射 ; 氮气退火 中图分类号 :O 484 . 4 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 (2007) 随着集成电路中晶体管特征尺寸的迅速减小 , 目前场效应管栅介质 SiO 的厚度已经减小到了纳米量 2 级. 隧道效应导致的大的漏电流以及极薄的 SiO2 薄膜对硼渗透的弱的抵抗能力使 SiO2 不能再继续担当栅 极氧化层这一角色. 使用高 k 材料替代 SiO2 是 目前最有希望解决此问题的途径. 由于高 k 材料的使用 ,在保 持电容密度不变的同时栅介质可以有比较大的厚度 ,从而避免了出现在超薄 SiO2 中的隧穿导致的漏电流问 [ 1 ,2 ] ( ) 题 . 为维持半导体产业继续依摩尔定律 即尺寸缩小定律 向前发展 ,高 k 栅介质成已经为当前的一个研 究热点. 在众多的高 k 材料中 ,Al O