采用Gauss94量子化学程序实施团簇嵌入离子晶体.PDFVIP

第 19 卷 第 3 期 计 　　算 　　物 　　理 Vol . 19 ,No . 3 2002 年 5 月 　CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS 　 May , 2002 　 ( ) [文章编号] 　1001246X 2002 采用 Gauss 94 量子化学程序实施团簇嵌入离子晶体 黄桂芹 (南京大学物理系 ,江苏 南京 　210093) ) [摘 　要] 　在 Gauss 94 基础上提出了一种团簇嵌入晶格技术 ,团簇中的电子和核都处于周围无限大晶格产生的库 仑场中 ,库仑势由 Ewald 方法计算. 对相应的单电子 Hamilton 算符及团簇系统总能量进行了修改. 应用此嵌入技术 对 NaF :Cu + 系统及 NaF 中 F 心缺陷进行了研究 ,计算出的NaF :Cu + 系统的垂直激发能及 F 心光学激发能均与实验 值符合得较好 ,说明了此种嵌入技术是切实可行的. [ 关键词] 　F 心 ;杂质 ;从头计算 ;离子晶体 [ 中图分类号] 　O77 [文献标识码] 　A 围的选取具有人为性 ,其选取原则是使得在团簇内 0 　引言 几个特殊点处计算出的马德隆势在去除团簇内其它 Gauss 系统软件包具有强大的量子化学从头计 离子对势的贡献后尽可能与处在无限晶格情况下接 算功能 ,如 HartreeFock ( HF) 自洽场方法 ,组态相互 近. 但对团簇内的一般位置很难同时满足马德隆势 ( ) ( 的要求 ,而这对团簇位形驰豫后的情形很重要. 计算 作用方法 CI ,MollerPlesset 微扰论法 MP2 ,MP3 , MP4) ,也有较先进的多组态的完全激活空间自洽场 马德隆势时 ,外部晶格离子由点离子表示 ,但在后来 ( ) 的计算中外部晶格离子由高斯型电荷分布来表示 , CASSCF 方法. 然而 Gauss 程序的出发点是量子化 学理论 ,用来计算分子团簇的各种物理及化学性质. 且为了使作用在完整晶格位形下团簇离子上的净力 因此 ,它本身目前还缺少复杂的团簇嵌入晶体技术. 为零 ,外部电荷及高斯指数需进行自洽调整. 电荷调 对离子晶体中缺陷问题的理论研究常用一个有 整后还能否保证马德隆势的要求 ? 此外 ,在保持原 限的团簇模型来模拟计算 ,模拟的关键问题是如何 有晶格对称性情况下 ,整个范围具有电中性的要求 [3 ] 考虑团簇外的晶格对缺陷的作用. 比较粗糙的模型 也很难得到满足 . 仅考虑缺陷和周围近邻离子的作用 ,也有的把周围 本文在 G94 软件包基础上提出了一种团簇嵌 [ 1] 入晶格的方法 ,与前人工作的最主要的差异在于对 无限晶格用有限的点电荷取代 . 目前比较先进的 团簇嵌入晶格方法是 ICECAP ( Ionic Crystal with Elec 周围无限大离子晶格的处理上. Lewandowski 等人提