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电工模电部分复习 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。 第14章 二极管和晶体管 1 理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用 2 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 3 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 4 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ? 空穴电流 5 掺入五价元素 磷原子 N型半导体 自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子 掺入三价元素 硼原子 P型半导体 空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子 6 最大整流电流 IOM 允许流过二极管的最大正向平均电流。 反向工作峰值电压URWM 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。 7 二极管的单向导电性 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 8 二极管正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 9 二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。 10 稳压二极管——稳压管正常工作时加反向电压，使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 11 半导体三极管——电流分配和放大原理 三极管放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏 NPN：VCVBVE；PNP：相反 各电极电流关系及电流放大作用：1）三电极电流关系：IE = IB + IC 2） ICIB ， IC=IE 3） ΔICΔIB IC = ICE+ICBO=ICE ；IB= IBE- ICBO=IBE， ICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 基本放大电路 晶体管T——放大元件, 要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区 。 基极电源EB与基极电阻RB——使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流。 集电极电源EC ——为电路提供能量，并保证集电结反偏。 集电极电阻RC——将变化的电流转变为变化的电压。 耦合电容C1 、C2 ——隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号顺利输入、输出。 1 无输入信号电压时，三极管各电极都是恒定的电压和电流:IB、UBE和 IC、UCE 。 若参数选取得当，输出电压可比输入电压大，即电路具有电压放大作用。 输出电压与输入电压在相位上相差180°，即共发射极电路具有反相作用。 2 微变等效电路：利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路电压放大倍数Au、输入 电阻ri、输出电阻ro等。 3 输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数。电路的输入电阻愈大，从信号源取得的电流愈小，因此一般总是希望得到较大的输入电阻。 输出电阻是表明放大电路带负载能力的参数。电路的输出电阻愈小，负载变化时输出电压的变化愈小，因此一般总是希望得到较小的输出电阻。 4 如果Q设置不合适，晶体管进入截止区或饱和区工作，将造成非线性失真。 若Q设置过高，晶体管进入饱和区工作，造成饱和失真。适当减小基极电流可消除失真。 若Q设置过低，晶体管进入截止区工作，造成截止失真。适当增加基极电流可消除失真。 如果Q设置合适，信号幅值过大也可产生失真，减小信号幅值可消除失真。 5 温度变化对静态工作点的影响  6 分压式偏置电路 去掉CE后的微变等效电路 基极电位集电极电流基本恒定，不随温度变化。，，，  ：， ，， 有旁路电容CE——，，；无旁路电容CE——减小，提高，不变 7 阻容耦合放大电路由