深亚微米VLSI物理设计中天线效应的预防及修复.pdfVIP

微电子学与计算机 2007年第24卷第8期 张的情况下．单凭这种方法往往不会起到很好的效 PAE问题。 果。 3．2添加反偏PAE二极管 4预布线阶段的PAE预防及修复迭代 如图3所示．在靠近输入端MOS管栅极的位 随着CMOS工艺特征加工尺寸的进一步减小 和芯片集成度的进一步增加．PAE问题将会变得更 置放置反向偏置二极管(如图3(a)所示)，可以使金 属互连导体上集聚的游离电荷经由二极管的扩散 加突出。利用自动布局布线工具得到的深亚微米 层和衬底安全泄放(如图3(b)所示)，从而有效地避 免了PAE问题的发生。 误．通过手工修改版图的方法将会变得异常复杂难 以实现。除了制造工艺上的改良之外，还可以通过 版图预布线阶段的合理迭代和处理．尽量在物理设 计阶段全面预防和修复潜在的天线效应问题．提高 芯片一次投片成功的概率。 4．1 PAE工艺库文件 为了更好地解决各类天线效应问题．通常在版 图预布线阶段．就需要提供给自动布局布线工具一 个合理的约束，进行PAE问题的判别和初步预防。 上述约束信息主要是通过对应不同工艺制程条件 下的特殊AntennaLEF，DEF工艺库文件以及其中 定义的PAE关键字来实现的．以SMIC公司提供给 图3反向偏置PAE二极管的添加 U灌为例。其典型内容如下： PAE二极管通常分为N—IMP和P—IMP两种， 分别采用NMOS和PMOS两种工艺制成。其顶视图LAYERME’IAL2 如僭3(c)所示。为了更为有效地起到保护作用，二 Thickness0．53： 极管通常采取反向偏置并尽可能地靠近输入端放 AntennaSideAreaRatio400： AntennaDif玛ideAreaRatio 置．因此并不会在芯片加工完成后给逻辑功能带来 PWL((0400)(0．202 任何影响。只有当游离电荷积聚到一定程度，静电 400)(0．2032281．2)(0．4062362．4))； METAL2 高压产生并达到二极管的反向击穿电压时．PAE二 END 极管才会导通并泄放电流．起到保护栅极的作用。 自动布局布线工具主要通过对上述特殊PAE LEF，DEF中定义的各类Antenna 同PAE二极管相比．跳层桥接方法更容易造成 Ratio来识别冗长 更大的时序延迟并引发时序不收敛等问题，而插入 金属互连线、标准单元引出端和通孔等处的潜在高 二极管所引发时序延迟小到可以忽略．并且可以非 危天线效应问题．当其发现某处的AR阈值高于 常有效地用来修复跳层桥接无法满足要求处(如高 PAE工