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物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究.pdf
第43卷第7期 人 工 晶 体 学 报 V01．43No．7
InclusionsinSiliconCarbide
Carbon Single
Grown Method
Transport
byPhysicalVapor
YANG Xiao—bo，XU
Kun，YANG Yan，CHENXiu-fang，HU Xian-gang
Xiang-long，CUIYing—xin，PENG
(State 250100，China)
KeyLaboratoryofCrystalMaterials，ShandongUniversity，Jinan
22 3March
(ReceivedJanuary2014，accepted2014)
withadiameterof3inch
Abstract：4H．SiCsinglecrystal was、grownbyphysicalvapor
of was
distributionof connectedcarbon onthesuIfacesource
method．Particularweakly particles powder
created the a with
intentionallyduringgrowthprocessbymountinggraphiteplate muhipleperforative
of
holesonthesurfaceofthesource betweendistribution
round powder．One—to·onecorrespondence
carboninclusionsinthe 4H—SiC andthe of wasobserved。
as-grown singlecrystal patterngraphiteplate
Theformationmechanismofcarboninclusionwas wasbelievedthatthe ofcarbon
proposed．It generation
for in
in isasourceofcarboninclusions．Themethods carboninclusions
particlesgrowthca^rity reducing
SiC arefurther
cr
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