原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备
第 卷 第 期 半 导 体 学 报
年 月
磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备
赵有文 董志远 孙文荣 段满龙 杨子祥 吕旭如
中国科学院半导体研究所北京
摘要分析研究了一些缺陷对 单晶衬底的影响包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响坑状微
缺陷晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等 对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析 在此基础上获得了
开盒即用 具有良好晶格完整性表面无损伤的 单晶衬底抛光片
关键词磷化铟缺陷衬底抛光
中图分类号 文献标识码 文章编号
掺铁半绝缘型电阻率
引言 晶片的直径为
和 利用我们自己的机械化学抛光工艺对
单晶抛光片作为衬底已广泛用于生长毫米 晶片进行单面抛光后有关机械化学抛光技术的方
波微电子器件和光纤通信用光电子器件材料 法原理见参考文献 用
随着器件性能的不断提高和器件尺寸的减小对 型干涉显微镜观察分析晶片表面的形貌和缺陷 利
文档评论（0）