用分子模拟方法研究羟基乙叉二膦酸（HEDP）在方解石表面-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $$ 1 !% 1 ， ， ， /@; ,$$ M@ , 1 7?=N !% （ ） 81!#I!%I$$ 1 I 08% 5:65 +(JKL:5 KLML:5 !!% :NEC , +NBF , K@= , 用分子模拟方法研究羟基乙叉二膦酸（ ） !#$ 在方解石表面的吸附行为! 徐 敬 （同济大学波耳固体物理研究所，上海 !#! ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） !$ % ’ !$ !’ 建立了基于分子力学计算方法的分子模拟手段，用于研究羟基乙叉二膦酸（ ）在方解石｛ ｝表面的吸附 ()*+ ’ 特性 分子模拟三维吸附图像显示， 中的膦酸基团中的氧原子具有强烈的负电性，能与晶体表面的阳离子产 , ()*+ 生强烈的静电吸引作用，形成“立体匹配”吸附结构 计算结果显示， 在方解石面上、台阶和扭折点位置的平均 , ()*+ 吸附能依次约为 ， 和 ，表明 强烈地吸附到扭折点位置上，从而影响和抑制台阶的 - $ ,!./ - 0 , ./ - !1 , $./ ()*+ 生长, 关键词：分子模拟，方解石，阻垢剂，表面吸附 ： ， $% 1’$* 2!!3 露出来，成为一个新的稳定面 上世纪 年代初， , # 4 引 言 9;= 和9?@A;.B 等根据这一理论用分子设计方法开 发出了用于抑制硫酸钡晶体生长的阻垢剂，并在近 为了节水，工业冷却水系统大多采用循环方式 海油田获得成功应用，成为阻垢剂分子设计成功的 ［，］ 运行 当循环水的浓缩倍数被不断提高后，碳酸钙、 第一个实例% 0 , , 磷酸钙和硫酸钡等难溶盐类就会沉淀析出形成水 但是上述理论模型用于碳酸钙阻垢剂分子设计 垢，从而危害生产设备的效率和安全, 目前最广泛使 时遇到了困难, 9.CDEF.C 和GE;; 等的详细计算表明 用的阻垢方法是投加化学阻垢剂，如羟基乙叉二膦 “几何匹配”理论在碳酸钙阻垢剂分子