精品第5.5.2.ppt

不讲 §5.8 模拟光纤传输系统中的信噪比 衡量模拟接收机重要指标----信噪比 一、信噪比 S/N 定义： = * 6.倍增因子G（APD雪崩二极管） 设APD光生电流IP（一次平均光生电流），倍增后平均输出电流I0 。 IP 1 — ( )n V VB I0= 无倍增时电流 常数与制作APD的材料有关 APD击穿电压 倍增因子： G = I0 IP G= 1 1 - ( )n V VB 高场区考虑APD内阻r，上式可得： G= 1 1 - ( )n V-I0r VB 说明：APD特性知,当V接近VB(击穿电压)时,I0r小,G→∞; 上述推导：根据高场区(耗尽区)产生碰撞电离,电子-空穴 流，解出一阶微分方程，求解简化得到上式。 7. 过剩噪声系数F(G) 一次、二次电子-空穴对，　统计上互不相关，随机性造成噪声。 原因：APD光电管倍增过程的随机性。 具体是指：耗尽层内，光子入射每次产生的一次电子-空穴对，统计上是互不相关；而且在电场作用下，每个一次电子-空穴对与原子碰撞游离出二次电子-空穴对也不相关。 这种随机性造成的附加噪声，称为F(G) 表达式： g2=F(G)*G2 倍增因子 过剩噪声系数 均方值 一次、二次电子-空穴电子数 G-1 G F(G)=G[1-(1-Ke)( )2] Ke:空穴/电子碰撞游离概率比； G ：平均雪崩增益； 8. 过剩噪声指数 x g2≈G2+x≈g2+x x:过剩噪声指数； Gx或gx：过剩噪声系数，与x有关 ；指APD受倍增作用而增加的噪声，所以应选X小的管子。 X取值：Si-APD 0.3-0.5; Ge-APD 0.6-1.0; InGaAsP-APD 0.5-0.7 5.1.13 光检测器与前置放大器的噪声 散粒噪声 （泊松分布） 光波噪声：光载波的量子噪声(光源噪声、多模：模式噪声) 噪声 接收机各部分 PIN ：暗电流 APD 过剩噪声 暗电流起伏性 倍增过程随机性 电阻、放大器　热噪声（高斯分布） 总噪声功率的标称值（１欧姆）　　　　　　　输出端热噪声的电压或电流 　　　　n2(t)=n2Q(t)+n2T(t) 光电检测器-放大器输出端的散粒噪声和暗电流噪声的电压或电流 总噪声功率 一、光电检测器与前置放大器的噪声 n2(t)=n2Q(t)+n2b(t)+n2a(t)+n2e(t) n2(t) :总噪声 n2Q(t):光电检测器散粒噪声，电流iQ(t)造成的噪声电压 n2b(t):并联电阻Rb上的热噪声，电流ib(t)造成的噪声电压 n2a(t):前置放大器输入端并联噪声，电流ia(t)造成的噪声电压 n2e(t):前置放大器输入端串联噪声，电压源ea(t)形成的噪声电压 总噪声：有4种噪声组成，进行如下分析： 1.散粒（量子）噪声 n2Q(t) 与光电探测器输出平均电流有关，其关系： I (t) = * P(t) I (t) :光检测器产生的光生电流平均值 η：量子效率 ； e: 电子电量； g:电子-空穴对数 P(t): 入射光功率； h*f ：入射光能； 注意： η*e h*f η*e* g h*f ：无雪崩光探测器的响应度 g2=F(G)G2 I=ηeP0/hf 总结： APD n2Q(t)= P0 i2Q(t)=2eIBG2F(G) 2ηe2g2B h*f PIN n2Q(t)= P0 i2Q(t)=2eIB 2ηe2B h*f 2. 暗电流和漏电流噪声 暗电流 受倍增作用的暗电流 i2D1(t)=2eID1BG2F(G) 未受倍增作用的漏电流 i2D2(t)=2eID2B PIN：ID1=0 ID2≈4*10-8A APD: ID1≈