稻草制备SiC晶须.PDF

: 李胜杰 等 稻草制备 SiC晶须 333 稻草制备SiC晶须∗ , 1 2 1 12 , , , 李胜杰 刘国军 陈 华 贾素秋 　 ( , ; 1.长春工业大学 先进结构材料省部共建重点实验室 吉林 长春 130012 , ) 2.吉林大学 汽车材料教育部重点实验室 吉林 长春 130022 : , 摘 要 以废弃的稻草为原料 在 的 　 　 1300~1400℃ 实 验 2　 　 。 、 氩气保护条件下制备 SiC晶须 研究反应温度 反应 、 。 ( ) , 时间 催化剂对 SiC晶须制备的影响和反应机理 结 用清水清洗剪碎稻草 每段长 2~3cm 上的脏物 , ; , ; 果表明 SiC晶须在 1350℃时生长最好 SiC晶须温度 再用蒸馏水淋洗 烘箱中干燥 然后在 450℃的真空环 , , , 控制在 左右为宜 采用先高温成核再低温保温 境中裂解 得到主要成分为 和 的稻草灰 称取 1350℃ SiO C 2 , ; , 的加热方式 反应时间控制在 碳化硅晶须主要以 适量裂解产物配以一定比例的催化剂 在 气保护下 2h β Ar , 。 :() ; 型为主 同时含有少量 型 晶须 晶须以竹节状 分别用两种加热方式反应 直接加热至反应温度 α SiC 1 , , 。 () 。 居多 晶须直径为 10~200nm之间 长径比10 用 2 先升至 1600℃再降至反应温度反应 最后对反应