锗之硫属化合物半导体特性探讨.PDFVIP

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2018-10-01 发布于天津
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锗之硫属化合物半导体特性探讨

鍺之硫屬化合物半導體特性探討 Characterization of germanium chalcogenide semiconductors 吳慶成 (C. C. Wu) 東華大學材料工程學系 Department of Materials Science and Engineering , National Dong Hwa University (94-2216-E-259-006-) In this study, Ge(Se S ) crystals with x = 0 、0.2 、0.4 、0.6 、0.8 、1 were grown by vertical Bridgman 1 -x x 2 method. The crystallinity and composition were investigated by X-Ray, SEM and EPMA. The energy band gap of crystals were examined by thermoreflectance (TR) and transmission spectra measurement. The composition dependence of crystallinity, band gap, broadening parameter for Ge(Se S ) were discussed. 1 -x x 2 The values of energy band gap (Eg) for various alloy composition (x) can be fitted by an analytical 2 expression: Eg(x) =2.396 ＋0.140x ＋0.616x 。 Keywords ：Ge(Se S ) , vertical Bridgman method, thermoreflectanc and transmission spectra 1 -x x 2 1 、前言合。最後，利用垂直式布里茲曼法 (Vertical Bridgman 非晶質 (amporphous)及晶質 (crystalline)硫屬 Method)來成長硒硫化鍺 Ge(Se S ) 這系列晶體。並以 1-x x 2 (chalcogenide)半導體材料具有相當有趣的物理性質及應 SEM 、XRD 、EPMA 等量測技術確定晶體成分與品質。用潛力。可用來製造光電元件、太陽能電池，及做為光學儲存與感光材料。其中 GeSe及 GeS 為眾多研究主題之 2.2熱調制反射光譜 2 2 一。非晶質GeSe 熱調制光譜(TR)實驗中的加熱架構為，把一玻璃基可利用高溫退火或是雷射照射使其晶質 2 化(photo-induced crystallization) ，此種相的轉變特性可