ICP刻蚀原理：气体、功率选择--ICP操作流程.pdfVIP

gas box VGE/B MFC VGQ VGQ 最高功率为1000W RF ICP reactor 必须4 英寸 Load lock 样品仓 TR VKW MSK VBW MPE 0 DR MBA MDW A VBSK VSK PTM VBR MFW 抽气阀门 放气阀门 -6 -7 10 ~10 VVV VSH He 。 PS PW 所能达到的极限是1pa。 一、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理 3 二、刻蚀的基本要求 9 （负载效应、图形的保真度、均匀性、表面形貌、刻蚀的清洁） 三、等离子体刻蚀的基本过程 11 （物理溅射刻蚀、纯化学刻蚀、离子增强刻蚀、侧壁抑制刻蚀） 四、影响刻蚀效果的因素