电子科技行业的前沿技术集锦(2013年度).pdf

电子科技行业的前沿技术集锦（2013年） 一、复旦成功研发世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。2 二、石墨烯新进展 神奇之碳再写神奇 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 三、意念控制的未来正在走近。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 四、全新液流电池 属于未来的电池。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。15 五、微型能量收集技术 实现无电池应用。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 六、集成电路突破半导体限制：不使用半导体的晶体管 VS 光子回路 。。。。。。。。。。。24 七、植入大脑的微芯片可保存人们的大脑记忆内容。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 八、全新电阻式RAM技术问世 单芯片可存1TB数据 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 九、“透明纸”将改变电子元器件未来。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 十、中科院研制室温状态下液态金属直接印刷电子。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。36 1 一、 复旦成功研发世界第一个半浮栅晶体管（SFGT） 北京时间2013年8月9日出版的最新一期《科学》杂志 （Science）刊发了复旦大学 微电子学院张卫团队最新科研论文，该团队提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半 浮栅晶体管 （SFGT，Semi-Floating-GateTransistor）。这是我国科学家在该顶级学术期刊 上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成果。 据悉，当代集成电路科技的发展主要是基于摩尔定律，该定律是由英特尔公司创始人 之一戈登?摩尔提出的：芯片上的晶体管特征尺寸在不断地缩小，使得芯片上的晶体管数量 每隔18个月便会增加一倍。 目前，集成电路的量产技术已发展到了22纳米技术节点，尽管我国在自主知识产权集 成电路技术上取得了长足进步，但集成电路的核心技术基本上依然由国外公司拥有。我国 集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏 核心技术。半浮栅晶体管（SFGT）作为一种新型的微电子基础器件，它的成功研制将有 助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。 微电子学院实验室检测台 半浮栅晶体管（SFGT）：结构巧 性能高 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前集成电路中最基本的器件，工 艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，而其功率密度也一直在升高。我们常用的U 盘等闪存芯片则采用了另一种称为浮栅晶体管的器件。闪存又称“非挥发性存储器”。所谓 “非挥发”，就是在芯片没有供电的情况下，信息仍被保存不会丢失。这种器件在写入和擦 除时都需要有电流通过一层接近5纳米厚的氧化硅介质，因此需要较高的操作电压（接近 2 20伏）和较长的时间（微秒级）。复旦大学的科学家们把一个隧穿场效应晶体管（TFET） 和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的“半浮栅”结构的器件，称为半浮栅晶体管。 “硅基TFET 晶体管使用了硅体内的量子隧穿效应，而传统的浮栅晶体管的擦写操作则 是使电子隧穿过绝缘介质。”论文第一作者王鹏飞教授解释说。“隧穿”是量子世界的常见现 象，可以“魔术般”地通过固 ，好像拥有了穿墙术。“隧穿”势垒越低，相当于“墙”就越薄， 器件隧穿所需电压也就越低。把TFET和浮栅相结合，半浮栅晶体管（SFGT）的“数据” 擦写更加容易、迅速。“TFET为浮栅充放电、完成‘数据擦写’的操作，‘半浮栅’则实现“数 据存放和读出”的功能。”张卫解释说，传统浮栅晶体管是将电子隧穿过高势垒（禁带宽度 接近8.9eV）的二氧化硅绝缘介质，而半浮栅晶体管 （SFGT）的隧穿发生在禁带宽度仅1.1 eV 的硅材料内，隧穿势垒大为降低。打个比方，原来在浮栅晶体管中，电子需要穿过的是 一堵“钢筋水泥墙”，而在半浮栅晶体管中只需要穿过“木板墙”，“穿墙”的难度和所需的电 压得以大幅降低，而速度则明显