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微机电系统课程论文 一个实际的光刻加工过程 机械设计研究所 解泽哲 摘要：光刻是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶 圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形 部分。在微机电系统中，光刻是一个十分重要且应用广泛的加工方法，因为这种方法可以十 分方便而巧妙的加工出所需要的形状或图形，本文就作者在现实中所亲历的一次对石墨烯的 光刻加工过程，简要讨论了光刻方法在微机电系统中的应用。 1 石墨烯 石墨烯是新近才被发现的一种新材料，其最主要的特点在于仅由一层碳原子组成，其整 个空间结构是二维的。不同于一般的三维结构材料，它具有许多更为优异的性质，如极高的 载流子迁移率，虽然极薄但却十分坚硬，极高的透光性。凭借这些性质，石墨烯在微机电系 统中的应用已越来越广泛，同时也是诸多碳材料中前景最为光明的一种。利用其构建的传感 器是其诸多应用中的一种。 我们的工作，就是利用光刻方法，构建出基于石墨烯的传感器的基础性装置。 2 所需结构 我们所构建的基于石墨烯的传感器的基础性装置，如下图所示： 图中蓝色为基底，红色为铜，黑白格为石墨烯。两图中共性的部分是两个铜电极以及中 间的石墨烯，这样可以构成电流通路，而上图中两边较大面积的铜电极是用来测试该结构是 否可以起到电场保护作用。 将所暴露出的石墨烯浸于特定的溶液或气体中。由于气体或溶液中的特定分子会与石墨 烯性质活泼的表面发生物理或化学反应，影响石墨烯上通过的电流，因而可以用来做浓度传 感器，亦可用来探测特定分子。 3 准备工作 我们使用的光刻胶，具有正胶的性质，即曝光后，会被显影液溶解。 同时操作须在一定的基底上进行我们选用SiO2 （4inches ）。同时，光刻工艺对于基底 1 / 9 微机电系统课程论文 的清洁度是有要求的，故而在实际操作前，需对基底进行清洁。这里，我们选用4inches 的 硅片，先用去离子水超声清洗30 分钟，然后在H SO :H O （比例3：1）中煮沸1 小 2 4 2 2 时，然后再用去离子多次清洗并用氮气吹干，生成SiO2 基底，并保证了所生成的基底的清 洁度。 同时在此基底上，我们需要石墨烯，出于尺寸考虑，我们利用化学气相沉积法（CVD ） 生长出所需尺寸的石墨烯。 最终形成的基底与石墨烯如下图所示： 石墨烯 图3-2 基底与石墨烯图 同时，光刻中的另一个关键性技术就是掩膜板，掩膜板的作用是在曝光过程中遮光，从 而通过接下来的显影过程，将掩膜板上的图形映射到光刻胶上来进行进一步的在主要材料上 的图形加工。利用L-edit 软件，我们设计出如下图所示掩膜板： 图3-2 掩膜板图 为避免误解，上面四个图中，前两图红色部分透光，白色部分则不透。后两图则正好相 2 / 9 微机电系统课程论文 反。 4 实际操作 下面我将配合图形，详述我所设计并操作的光刻加工过程。 （1）第一次光刻工艺（形成金属电极） 4-1 在基底与石墨烯上旋涂一层光刻胶 光刻胶 SiO2 Si 石墨烯