放大电路基本原理-mipaper.pdf

第二章 放大电路基本原理 本章内容简介 本章首先讨论半导体三极管（BJT ）的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。随后着 重讨论BJT 放大电路的三种组态，即共发射极、共集电极和共基极三种放大电路。内容安排 上是从共发射极电路入手，再推及其他两种电路，并将图解法和小信号模型法，作为分析放 大电路的基本方法。 （一）主要内容:  半导体三极管的结构及工作原理，放大电路的三种基本组态  静态工作点Q 的不同选择对非线性失真的影响  用H 参数模型计算共射极放大电路的主要性能指标  共集电极电路和共基极电路的工作原理  三极管放大电路的频率响应 （二）教学要点： 从半导体三极管的结构及工作原理入手，重点介绍三种基本组态放大电路的静态工作 点、动态参数（电压增益、源电压增益、输入电阻、输出电阻）的计算方法，H 参数等 效电路及其应用。 （三）基本要求:  了解半导体三极管的工作原理、特性曲线及主要参数  了解半导体三极管放大电路的分类  掌握用图解法和小信号分析法分析放大电路的静态及动态工作情况  理解放大电路的工作点稳定问题  掌握放大电路的频率响应及各元件参数对其性能的影响 2.1 半导体三极管（BJT） 2.1.1 BJT 的结构简介：半导体三极管有两种类型:NPN 型和PNP 型。 结构特点：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一 般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 2.1.2 BJT 的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 载流子的传输过程 1. 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子； 集电区：收集载流子； 基区：传送和控制载流子（以NPN 为例） 以上看出，三极管内有两种载流子 ( 自由电子和空穴)参与导电， 故称为双极型三极管， 或BJT (Bipolar Junction Transistor) 。 2. 电流分配关系 i α×i C E (1 α) i − ×i B E α iC β×iB β 1−α 2. 三极管的三种组态 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE 表示。共基极接法，基极作为公共电极，用CB 表示。共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC 表示。 BJT 的三种组态 4. 放大作用 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大 于基区杂质浓度，且基区很薄。（2 ）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 2.1.3 BJT 的特性曲线 1. 输入特性曲线i f (V ) | B BE V const CE (1) 当V 0V 时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 CE vCE = 0V vCE ≥ 1V V ≥1V V V −V 0V (2) 当 CE 时， CB CE BE ，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合 V I 减少，同样的 BE 下， 减小，特性曲线右移。 B (3) 输入特性曲线的三个部分：死区；非线性区；线性区 2. 输出特性曲线 i f (V ) | C CE iB const 放大区：i 平行于v 轴的区域， C CE 曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 截止区：i 接近零的区域，相当i =0 的曲线的下方。 C B 此时，vBE 小于死区电压，集电结反偏。 饱和区：iC 明显受vCE控制的区