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多孔硅量子点中的电子局域态！
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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多孔硅量子点中的电子局域态!
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黄伟其 王晓允 张荣涛 于示强 秦朝建
!）（贵州省光电子技术与应用重点实验室，贵州大学，贵州 %%#% ）
# ）（中国科学院地球化学研究所，贵阳 %%’ ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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经过激光辐照和高温退火加工能够生成多孔硅样品，在 — 处检测到很强的光致荧光（ ）峰，并且有
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明显的钉扎和增强效应 实验表明，这种 发光的强度与样品受辐照和退火的时间长短密切相关 通过第一性原
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理模拟计算发现，样品表面用 双键和 — — 桥键钝化，能隙中会出现电子局域态 激光辐照和高温退火的
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时间长短决定了样品表面 双键和 — — 桥键的密度，而该密度正是影响多孔硅量子点中电子局域态生成
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的关键0
关键词：多孔硅量子点，硅氧钝化键，电子局域态
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成状况，而这对应了加工样品时激光辐照和高温退
火的时间 理论计算结合实验结果解释了通过控制
!E 引 言 0
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辐照和退火时间来增强./ 发光的机理% 0
最近，很多新的实验数据显示，表面态对纳晶硅
量子点的光学特性有明显的影响0 由于多孔纳晶硅 # E 实 验
样品上发现可见光区较强的光致荧光（ ），迄今各
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式各样的多孔硅量子点结构已经引起人们广泛的注
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