以垂直沉浸式液相磊晶法制备高品质氧化锌镁半导体厚膜及其应用.PDFVIP

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2017-09-15 发布于天津
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以垂直沉浸式液相磊晶法制备高品质氧化锌镁半导体厚膜及其应用.PDF

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以垂直沉浸式液相磊晶法制备高品质氧化锌镁半导体厚膜及其应用

行磊精類行年年行參理理理年藍更力說來列料來不易理兩行磊量率兩了率温量來兩類行磊磊一、前言：氧化鋅(ZnO)為一個二六族六角纖鋅礦結構之化合物半導體材料。擁有室溫 3.37eV 的寬直接能隙、激子束縛能高達60meV ，價格低廉、安全無毒且來源無虞，由於發光波段屬藍/ 紫外光，且材料本身於可見光區呈現透明，因此於透明電極、太陽能電池、紫外光LED 、LD ，紫外光感測器等應用領域深具潛力[1] 。國外產學界對此材料單晶體製備技術主要有水熱合成法、助融劑法、氣相製成法等，其中以低溫製備(300-430℃)之水熱合成法(Hydrothermal, HT)生產之 3 -2 ZnO 單晶片品質較為穩定且優良，擁有室溫下低晶體缺陷密度(10 cm ) 、電子 2 -1 -1 遷移率為 200cm V s 的標準實績[2] 。 1959 年美國 Laudise 等人以水熱合成法成功製備出 ZnO 單晶[3] ，而日本科學家 Ohshima 等則於 2003 年以 KOH 和 LiOH 混合水溶液水熱法生長出高品質