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2018-11-17 发布于天津
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iivi族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与-ingentaconnect

IIVI 87 IIVI Development of IIVI Semiconductor Quantum Structure Materials and Devices 1 2 2 , , ( 1 , 100191;2 , 710072) 1 2 2 AO Jianwei ,Z A Gangqiang ,JIE Wanqi ( 1 Beihang University,Beijing 100191,China;2 School of Materials Science, Northwestern Polytechnical University, Xian 710072, China) : , IIVI ,,IIVI , IIVI : IIVI ;; ; + : T N304.2 5; O472 : A : 2011 Abstract: The basic concepts of quantum structure materials and devices were summarized, and the definition of quantum structure and the quantum size effect were introduced. Take example for the II VI compound semiconductor, the effect of the quantum size effect upon exciton binding energy was in troduced. Therefore, the IIVI compound semiconductor quantum structure materials such as quan tum wells and quantum dots, and the application development of which in photoelectric detection de vices, light emitting devices and solar cell fieldwere analyzed generally. Key words: IIVI compound semiconductor; quantum structure; exciton effect; quantum size effect , , , , , , ,, ,1 [ 1- 5] , , 2 10 , ( MBE) , (MOCVD) ,