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cmos器件co!射线电子和质子电离辐射损伤比较!-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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!#$ 器件% !’ 射线、电子和
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质子电离辐射损伤比较!
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何宝平 陈 伟 王桂珍
(西北核技术研究所,西安 #$%# )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
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利用+,-.)( 蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中
的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系/ 利用%$ 01 射
!
线、 电子和 — 质子对 和 器件进行辐照实验,比较%$ 射线和带电粒子的电离辐射
#.23 ’ ) .23 004$$,5 004$## 01 !
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损伤情况 实验结果表明, 射线、 电子和 — 质子辐照损伤效应中,在 栅压下可以相互等效;在
/ 01 ! #.23 ’ .23 $3
%$ %$
栅压下,以 射线损伤最为严重, 电子的辐射损伤与 射线差别不大, 以下质子辐射损伤总
(3 01 ! #.23 01 ! ).23
是小于%$ 01 射线,能量越低,损伤越小/
!
关键词: 射线,电子,质子,辐射损伤
!
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0.EF 器件辐照实验描述情况/
表 不同 器件对应的辐照射线能量
#C 引 言 # 0.EF
辐照射线类型 加固型004$$,5 器件 非加固004$## 器件
多年来,人们一直是利用%$ 射线对预定用 质子能量 ,和 ,和
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