02模拟电子技术第二章.pptVIP

随着温度升高由于本征激发（热激发）产生自由电子和空穴 自由电子数量=空穴数量 复合 本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡! 载流子（Carrier) 既然空穴运动的本质就是电子的运动，为什么还要特意讨论空穴？ 2.2.3 PN结的击穿 一、齐纳击穿：重掺杂，空间电荷区很窄。 + － － － + － － 强电场 + + － + + － E + － E W － － + － 空 间 电 荷 区 + － R + + + P N 二是雪崩击穿：轻掺杂，耗尽区较宽 硅管8V以上为雪崩击穿，5V以下为齐纳击穿，5-8V之间，两种击穿可能同时发生。 P N 2.3 二极管模型 一、大信号模型 IS :反向饱和电流 n :与工艺有关的常数， 本课程取n=1 大信号模型是非线性的，可将其简化， 主要简化的大信号模型有： 理想模型、恒压模型、折线模型 1. 理想模型 2. 恒压降模型 3. 折线模型 Vr为开启电压 硅：0.5~0.7V 锗：0.1~0.3V Q越高，ID越大，rd越小。 在二极管的伏安特性曲线上，由直流电压和电流所决定的Q点，称为静态工作点。若在Q点基础上外加微小的变化量时，则可用以Q点的切线来近似微小变化的曲线，即将二极管等效为一个动态电阻（正向），称为二极管的微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 二、小信号模型（线性化） 势垒电容 扩散电容 微变电阻 正偏 Ψ0内建势 反偏 0 考虑电容效应 练习 4V 4k 4k D1 D2 已知： Vr1=0.7V，Vr2=0.3V， 求流过D1、D2的电流 5V R1 R2 ID1 ID2 已知： R2=1k，Vr=0.65V，求R1，使 2ID1=ID2 2.4 二极管的应用 2.4.1 2.4.2 2.4.3 2.4.4 2.4.5 整流电路 检波电路 箝位电路 限幅电路 稳压电路 2.4.6 简介 门电路 2.4.7 　　二极管 = PN结 + 引线 + 管壳。 类型：点接触型、面接触型和平面型 (1) 点接触型— (a)点接触型 结构类型 2.4.1简介 (c)平面型 (3) 平面型— (2) 面接触型— (b)面接触型 符号 旧符号 新符号 阳极(Anode) 阴极(Cathode) 标记 D1 D2 Diode 发射相干单色光的特殊发光二极管。主要用于小功率光电设备，如光驱、激光打印头等。 将电信号转换为光信号的器件，常用于显示，或做光纤传输中的光发射端。 5、激光二极管 (LD) 4、发光二极管 （LED） 2、稳压二极管 将光信号转换为电信号的器件，常用于光的测量，或做光电池。 种 类 1、普通二极管 3、光电二极管 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2AP9 用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。 2.4.2 整流电路（理想二极管） 见第十一章 2.4.3 检波电路 输入（红色）和检波后的输出（黑色） 检波电路的时间常数选择十分关键 2.4.4 箝位电路（理想模型或恒压降模型） 2.4.5 限幅电路（恒压降模型） 1.7V 0.7V 2.4.6 稳压电路 一、稳压二极管 应用在反向击穿区 （雪崩击穿和齐纳击穿）　 （一）符号、伏安特性 和典型应用电路 (b) (b) 伏安特性 （二）主要参数 (1) VZ — 稳定电压 (2)IZ —稳定工作电流 IZmin ~IZmax (3)PZM —最大耗散功率 取决于PN结的面积和散热等条件，超过则热击穿 PZM = VZ IZmax 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻（电阻的作用：限流保护）。 稳压范围有限、噪声较大 注 意： VI↑→VO↑ (1) 输入电压变化时 (2) 负载电流变化时 IL↑→IR↑→VR↑→VZ↓（VO↓）→IZ↓ →IR↓→VR↓→VO↑ →VO↓ →VR↑ ↑ →IR↑ ↑ →IZ↑ ↑ →VZ↑ 二、电路原理 Izmin：当输入电压最小，负载电流最大时 Izmax：当输入电压最大，负载电流最小时 (1) (2) 三、稳压电阻的计算 2.4.7 门电路 分析如下电路，求电阻R1的压降和电流 * * 2.1 半导体基础 2.2 PN结和二极管 2.3 二极管模型 2.4 二极管的应用 2.1 半导体