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(2)漏源电压对沟道的控制作用 在漏源间加电压uDS ,令uGS =定值 由于uGS =0,所以导电沟道最宽。 ①当uDS=0时, iD=0。 ②uDS↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,呈楔形分布。 ③当uDS ↑,使uGD=uG S- uDS=Ugs(off)时,在靠漏极处夹断——预夹断。 预夹断前, uDS↑→iD ↑。 预夹断后, iDS↑→iD 几乎不变。 ④uDS再↑,预夹断点下移。 (3)栅源电压uGS和漏源电压uDS共同作用 iD=f( uGS 、uDS),可用输两组特性曲线来描绘。 (1)输出特性曲线: iD=f( uDS )│uGS=常数 3、 结型场效应三极管的特性曲线 uGS=0V uGS=-1V 设:UT= -3V iD受uGS控制 四个区: 恒流区的特点: △ iD /△ uGS = gm ≈常数 即: △ iD = gm △ uGS (放大原理) (a)可变电阻区(预夹断前)。 (b)恒流区也称饱和 区(预夹断 后)。 (c)夹断区(截止区)。 (d)击穿区。 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 (2)转移特性曲线: iD=f( uGS )│uDS=常数 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例:作uDS=10V的一条转移特性曲线: P沟道结型场效应管的工作原理与N沟道结型场效应管完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。(请大家自学) 3、P沟道结型场效应管 二. 绝缘栅场效应三极管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET),简称MOSFET。分为: 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 (1)结构 4个电极:漏极D, 源极S,栅极G和 衬底B。 符号: 二氧化硅绝缘层 通常将衬底与 源极接在一起 当uGS>0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 (2)工作原理 当uGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的 二极管,在d、s之间加上电压也不会形成电流,即管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道,如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流id。 ①栅源电压uGS的控制作用 定义: 开启电压( UT)——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS,也记为UGS(th)。 N沟道增强型MOS管的基本特性: uGS < UT,管子截止, uGS >UT,管子导通。 uGS 越大,沟道越宽,在相同的漏源电压uDS作用下,漏极电流ID越大。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS>UT,且固定为某一值时,来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。(设UT=2V, uGS=4V) (a)uds=0时, id=0。 (截止区) (b)uds ↑→id↑; 同时沟道靠漏区变窄。 (可变电阻区) (c)当uds增加到使ugd=UT时, 沟道靠漏区夹断,称为预夹断。 (d)uds再增加,预夹断区 加长, uds增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上, id基本不变。(恒流区) (3)特性曲线 四个区: (a)可变电阻区(预夹断前)。 ①输出特性曲线:iD=f(uDS)?uGS=const (b)恒流区也称饱和 区(预夹断 后)。 (c)夹断区(截止区)。 (d)击穿区。 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 iD受uGS控制 ②转移特性曲线: iD=f(uGS)?uDS=const 可根据输出特性曲线作出转移特性曲线。 例:作uDS=10V的一条转移特性曲线: UT 一个重要参数——跨导gm: gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上, gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点: 当uGS=0时,就有沟道,加入uDS,就有iD。 当uGS>0时,沟道增宽,iD进一步增加。 当uGS<0时,沟道变窄,iD减小。
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