Si基短波碲镉汞材料分子束外延生长研究-激光与红外.PDFVIP

第４５卷　 第６期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．６ 　 ２０１５年６月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｊｕｎｅ，２０１５ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１５）０６０６４６０４ ·红外材料与器件 · Ｓｉ基短波碲镉汞材料分子束外延生长研究 王经纬，高　达 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：报道了在中波工艺基础上，Ｓｉ基碲镉汞分子束外延短波工艺的最新研究进展，通过温 度标定、使用反射式高能电子衍射、高温计的在线测量和现有的中波Ｓｉ基碲镉汞温度控制曲 线建立及优化了Ｓｉ基碲镉汞短波材料的生长温度控制曲线；获得的Ｓｉ基短波ＨｇＣｄＴｅ材料表 －２ 面光亮、均匀，表面缺陷密度小于３０００ｃｍ ；基于此技术成功制备出了Ｓｉ基短／中波双色 材料。 关键词：硅基碲镉汞；分子束外延；短波碲镉汞外延；短／中波双色碲镉汞 中图分类号：ＴＮ２１３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１５．０６．０１０ ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｓｈｏｒｔｗａｖｅｌｅｎｇｔｈＨｇＣｄＴｅｆｉｌｍｇｒｏｗｔｈｏｎｓｉｌｉｃｏｎ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｂｙｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙｇｒｏｗｔｈ ＷＡＮＧＪｉｎｇｗｅｉ，ＧＡＯＤａ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＢａｓｅｄｏｎｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＭＷＨｇＣｄＴｅ，ｔｈｅｒｅｃｅｎｔｒｅｓｅａｒｃｈｐｒｏｇｒｅｓｓｏｎｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ ｇｒｏｗｔｈｏｆＳＷＨｇＣｄＴｅｏｎＳｉｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｉｓｒｅｐｏｒｔｅｄＴｈｒｏｕｇｈｔｈｅｏｒｉｇｉｎａｌｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ，ｔｈｅｕｓｅｏｆ ｉｎｓｉｔｕｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｓｕｃｈａｓＲＨＥＥＤａｎｄｐｙｒｏｍｅｔｒｙ，ｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇｆｉｇｕｒｅｐｒｏｆｉｌｅｏｆＭＷＭＣＴ，ａｃｕｓ ｔｏｍｉｚｅｄｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇｆｉｇｕｒｅｐｒｏｆｉｌｅｆｏｒＳＷＭＣＴｗａｓｂｕｉｌｔａｎｄｏｐｔｉｍｉｚｅｄＴｈｅｄｅｆｅｃｔｓｄｅｎｓｉｔｙｏｆｏｐｔｉｍｉｚｅｄＳｉ －２ ｂａｓｅｄＳＷＨｇＣｄＴｅｉｓｌｅｓｓｔｈａｎ３０００ｃｍ ａｎｄｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｉｓｓｍｏｏｔｈａｎｄｕｎｉｆｏｒｍＳＷ／ＭＷｄｕａｌｂａｎｄＨｇＣｄＴｅｈａｓ ｂｅｅｎａｌｓｏｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂａｓｅｄｏｎｔｈｉｓｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＳｉｂａｓｅｄＨｇＣｄＴｅ；ＭＢＥ；ＳＷＨｇＣｄＴｅ；ＳＷ／ＭＷｄｕａｌｂａｎｄＨｇＣｄＴｅ １　引　言 难题： 巨大的晶格失配； 高精度的温度控制。由 ① ② 硅基碲镉汞焦平面器件因为其更大的可用面 于使用Ｓｉ基复合衬底与背面的热偶是非接触的，且 积、更低的材料成本、与Ｓｉ读出电路的热应力自动 ＣｄＴｅ和ＨｇＣｄＴｅ表面的发射率存在较大的差异，因此 匹配、较高的机械强度和平整度、更高的热导率以及