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2017-09-13 发布于天津
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a输出电流igbt和mosfet驱动aoutputcurrent-vishay

VO3120 Vishay Semiconductors 2.5A 输出电流IGBT 和MOSFET 驱动 2.5A Output Current IGBT and MOSFET Driver 特性 • 2.5A 最小峰值输出电流 NC 1 8 VCC • 25kV/ μs 最小共模抑制（CMR ）， VCM=1500V 条件下 A 2 7 V O • ICC = 2.5 mA 最大电源电流 C 3 6 V • 具备滞后现象的欠压锁定（UVLO） O • 宽工作电压范围：15V 至 32V NC 4 5 V Shield EE • 0.2 µs 最大脉宽失真 20530_1 • 工业温度范围： - 40°C 至 110°C V D E • 0.5 V 最大低电平输出电压（VOL ） 19813 • 根据 DIN EN 60747-5-2 标准的加强型隔离 • 符合 RoHS 指令 2002/95/EC 规定说明 VO3120 配有一个 LED，与带功率输出级的集成式电路进行应用光耦合。这种光耦合器是驱动电机控制逆变器应用的功率 • 隔离的 IGBT/MOSFET 栅极驱动 IGBT 和 MOSFET 的理想之选。输出级的高工作电压范围提 • 交流和无刷直流电机驱动供栅极控制器件所需的驱动电压。该光耦合器的电压和电流使其成为直接驱动额定值高达 800 V/50 A IGBT 的理想之选。