《光电探测与信号处理》3.1（zm） 光电子发射探测器.pptVIP

光电探测与信号处理 3.1 光电子发射探测器 3.1.1 光电阴极 3.1.2 光电管、像增强管 3.1.3 光电倍增管 3.1.1 光电阴极 暗电流比较： Ag-O-Cs Bi-Ag-O-Cs Cs3Sb 量子效率比较： Ag-O-Cs Bi-Ag-O-Cs Cs3Sb多碱 灵敏度比较： Ag-O-Cs Bi-Ag-O-Cs Cs3Sb 多碱 采用特殊工艺，例如在重掺杂P型硅表面涂一薄层CsO2，可形成NEA材料。NEA发射体和常规光电发射体的表面，电子状态是类似的，导带底上的电子能量都低于真空能级，其差值为Ea。但是，两者体内电子能量则不同。NEA发射体导带底的电子能量高于真空能级，而常规发射体电子亲和势仍是正的。 NEA阴极的量子效率高于正电子亲和势阴极，可从其光电发射过程进行分析。价带中的电子吸收光子能量，跃迁到导带底以上，成为热电子（受激电子能量超过导带底的电子）。在向表面运动的过程中，由于碰撞散射而发生能量损失，故很快就落到导带底而变成冷电子（能量恰好等于导带底的电子）。热电子的平均寿命非常短，约 10-14～10-12s。如果在这么短的时间内能够运动到真空界面，自然能逸出。但是热电子的逸出深度只有几十纳米，绝大部分电子来不及到达真空界面，就已经落到导带底变成冷电子了。冷电子的平均寿命比较长，约 10-9～10-8s，其逸