《光电探测与信号处理》1.2 半导体物理基础.pptVIP

第1章 光辐射探测的理论基础 1.2 半导体物理基础 1.2.1 能带理论 2．半导体能带 2．半导体能带 N型半导体能带 N型半导体 P型半导体能带 P型半导体 2．半导体能带 1.2 半导体物理基础 1.2.2 热平衡状态下的载流子 费米能级Ef的物理意义 电子占据概率： 1.2.2 热平衡状态下的载流子 1.2 半导体的基础知识 1.2.3 半导体对光的吸收 1.2 半导体的基础知识 1.2.4 非平衡状态下的载流子 1．非平衡载流子的注入和复合 1．非平衡载流子的注入和复合 2.非平衡载流子的寿命 2.非平衡载流子的寿命 2.非平衡载流子的寿命 2.非平衡载流子的寿命 2. 非平衡载流子的寿命 1.2 半导体的基础知识 1.2.5 载流子的扩散与漂移 2．漂移 本征吸收 半导体对光的吸收 非本征吸收 本征吸收： 光子能量足够大，价带中的电子能激发到导带 －截止波长 (a)本征半导体； (b)N型半导体； (c) P型半导体 产生电子－空穴 对 条件： 特点： 本征吸收： (a)本征半导体； (b)N型半导体； (c) P型半导体 本征半导体和杂质半导体内部，都有可能发生本征吸收！！！ 特别注意： 非本征吸收： (a)本征半导体；