模拟电子技术 康华光等主编.ppt

;半导体二极管及整流电路 特殊二极管及稳压电路 双极型三极管 放大电路 场效应晶体管;半导体的导电特征;本征半导体; ; 室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位，这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 ;硅和锗的共价键结构;+4;（与自由电子的运动不同）; 本征半导体中有两种载流子：带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴，这是半导体与导体在导电原理上的本質区别。 热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴又可能重新结合而成对消失，称为复合。在一定温度下自由电子和空穴维持一定的浓度，达到动态平衡。;在纯净半导体硅或锗（4价）中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在一个多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。;N 型半导体;（2） P型半导体;P 型半导体;半导体的特性：;无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，通常对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 只有将两种杂质半导体做成PN结后才能成为半导体器件。;半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。; 多子扩散;①外加正向电压（也叫正向偏置） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于低阻导通状态。;②外加反向电压（也叫反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流，因为是少子漂移运动产生的，反向电流很小，这时称PN结处于高阻截止状态。; 一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。符号用VD表示。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。 面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，允許通过电流大，多用在低频整流、检波等电路中。;二极管的结构示意图;（1）正向特性（导通）;（1）最大整流电流IFM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压UBR：指管子反向击穿时的电压值。 （3）最大反向工作电压URM：二极管运行时允许承受的最大反向电压（约为UBR 的一半）。 （4）最大反向电流IRM：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。 （5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。;; 二极管应用范围很广，主要是利用二极管的单相导电性，可用于整流、检波、开关元件等。一些特殊工艺制造的二极管还有更多更好的作用。 利用具有单向导电性能的整流元件如二极管等，将交流电转换成单向脉动直流电的电路称为整流电路。整流电路按输入电源相数可分为单相整流电路和三相整流电路，按输出波形又可分为半波整流电路和全波整流电路。目前广泛使用的是桥式（全波）整流电路。 ; 单相半波整流电路 优点：电路结构简单。 缺点：输出电压脉动系数大 用途：可以用脉动电流的地方，如电镀、蓄电池充电等。; 当u为正半周时，二极管VD承受正向电压而导通，此时有电流流过负载，并且和二极管上的电流相等，即io= id。忽略二极管的电压降，则负载两端的输出电压等于变压器副边电压，即uo=u ，输出电压uo的波形幅度与u相同。 ; 当u为负半周时，二极管VD承受反向电压而截止。此时负载上无电流流过，输出电压uo=0，变压器副边电压u全部加在二极管VD上，UVD=um。 ;;; 单相桥式整流电路（常用整流电路） 可以得到比较平滑的整流电流。 ;u为正半周时，a点电位高于b点电位，二极管D1、D3承受正向电压而导通，D2、D4承受反向电压而截止。此时电流的路径为：a→D1→RL→D3→b。 ;u为负半周时，b点电位高于a点电位，二极管D2、D4承受正向电压而导通，D1、D3承受反向电压而截止。此时电流的