响应波长响应度量子效率响应速度噪声特性.ppt

* * * 总结 检测某波长的光时要选择适当材料的光检测器。 材料的带隙决定的截止波长要大于被检测的光波波长，否则材料对光透明，不能进行光电转换。 材料的吸收系数不能太大，以免降低光电转换效率。 Si—PIN光电二极管的波长响应范围为0.5～1mm，Ge—PIN和InGaAs—PIN光电二极管的波长响应范围约为1—1.7mrn。 响应度 描述光检测器能量转换效率的一个参量 Pin为入射到光电二极管上的光功率，Ip为所产生的光电流。它的单位为A/W。 量子效率 表示入射光子转换为光电子的效率。定义为单位时间内产生的光电子数与入射光子数之比。 响应速度 用响应时间（上升时间和下降时间）来表示 t t 光脉冲 检波输出 RL hn hn RL Rs RA CA Cd 输出 输出 影响响应速度的主要因素 完整的响应过程：从输入光信号开始到转换成的电信号被检测 载流子漂移通过耗尽区的渡越时间：与电场强度有关，电场强度较低时，漂移速度正比与电场强度，当电场强度达到某一值后，漂移速度不再变化。 耗尽区外产生的载流子扩散引起的延迟 检测器和它的负载的RC时间常数：对检测器来说，就要尽可能降低结电容 噪声特性 除负载电阻的热噪声以外，其它都为散弹噪声。 散弹噪声是由于带电粒子产生和运动的随机性而引起的一种具有均匀频谱的白噪声。 量子噪声 暗电流噪声 漏电流噪声 负载电阻的热噪声 量子噪声是由于光电子产生和收集的统计特性造成的，与平均光电流Ip成正比。来自噪声电流的均方值可表示为 暗电流噪声是当没有入射光时流过器件偏置电路的电流，它是由于PN结内热效应产生的电子空穴对形成的，是PIN的主要噪声源。暗电流的均方值可表示为 表面漏电流是由于器件表面物理特性的不完善，如表面缺陷、不清洁、表面积大小和加有偏置电压而引起的。漏电流的均方值可表示为 任何电阻都具有热噪声，只要温度高于绝对零度，电阻中大量的电子就会在热激励下作无规则运动，由此在电阻上形成无规则弱电流，造成电阻的热噪声。均方热噪声电流为 三、雪崩光电二极管（APD） Avalanche Photodiode 当耗尽区中的场强达到足够高时，入射光产生的电子或空穴将不断被加速而获得很高的能量，这些高能量的电子和空穴在运动过程中与晶格碰撞，使晶体中的原子电离，激发出新的电子空穴对。这些碰撞电离产生的电子和空穴在场中也被加速，也可以电离其它的原子，重复着这一过程。经过多次后电离，载流子迅速增加，形成雪崩倍增效应。 结构 RAPD的结构 ? RAPD管工作原理示意图 ? RAM-APD的结构 ? SAM-APD管的结构 ? SAM-APD管的场分布 ? 特性 包括波长响应范围、量子效率、响应度、响应速度等。除此之外，由于APD中存在雪崩倍增效应，APD的特性还包括雪崩倍增特性、倍增噪声、温度特性等。 倍增因子g：APD输出光电流Io和一次光生电流Ip的比值。随反向偏压、波长和温度而变化。现在g值已达到几十甚至上百。 噪声特性：除了量子噪声、暗电流、漏电流噪声之外，还有附加的倍增噪声。 雪崩倍增效应不仅对信号电流有放大作用，而且对噪声电流也有放大作用。 雪崩效应产生的载流子也是随机的，会引入新的噪声成分。 附加噪声因子F=gx描述雪崩效应的随机性能够引起的噪声增加的倍数。 x：附加噪声指数，Si：x=0.3~0.5；Ge：x=0.6~1.0；InGaAsP：x=0.5~0.7。 APD中表面漏电流不被倍增，热噪声与PIN的特性相同。 量子噪声为 暗电流噪声为 温度特性： 当温度变化时，原子的热运动状态发生变化，从而引起电子、空穴电离系数的变化，使得APD的增益也随温度而变化。随着温度的升高，倍增增益下降。 为保持稳定的增益，需要在温度变化的情况下进行温度补偿。 四、数字光接收机 包括光检测器、前置放大器、主放大器、均衡器、时钟提取电路、取样判决器以及自动增益控制（AGC）电路等。 光信号 再生码流 光检 测器 前置 放大 器 主放 大器 均衡 器 判决 器 AGC 电路 时钟 提取 前置放大器、主放大器 前置放大器是低噪声放大器，它的噪声对光接收机的灵敏度影响很大。前放的噪声取决于放大器的类型。 主放大器一般是多级放大器，它的作用是提供足够的增益，并通过它实现自动增益控制（AGC），以使输入光信号在一定范围内变化时，输出电信号保持恒定。主放大器和AGC决定着光接收机的动态范围。 均衡、判决、再生 均衡的目的是对经光纤传输、光／电转换和放大后已产生畸变（失真）的电信号进行补偿，使输出信号的波形适合于判决（一般用具有升余弦谱的码元脉冲波形），以消除码间干扰，减小误码率。 再生电路包括判决电路和时钟提取电路，它的功能是从放大器输出的信号与噪声混合的波形中提取码元时钟，