第4章节_薄膜的化学气相沉积II.ppt

第四章 薄膜的化学气相沉积(Chemical vapor deposition) 第一节 化学气相沉积反应的类型 第二节 化学气相沉积过程的热力学 第三节 气体的输运特性 第四节 化学气相沉积装置 第五节 Sol—Gel工艺技术 简 介 化学气相沉积 （chemical vapor deposition, CVD） 化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 简单来说就是：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基片表面上。 应用范围包括： 固体电子器件、光电子器件所需的各种薄膜； 轴承和工具的耐磨涂层； 发动机或核反应堆部件的调温防护涂层等。 在高质量的半导体晶体外延(epitaxy)技术以及各种绝缘材料薄膜的制备中大量使用化学气相沉积技术。 优点： 可以用于各种高纯晶态、非晶态的金属、半导体、化合物薄膜的制备； 可以有效地控制薄膜的化学成分； 低的设备和运转成本； 与其他相关工艺具有较好的相容性等。 第一节 化学气相沉积所涉及的化学反应类型 一、热解反应 二、还原反应 三、氧化反应 四、置换反应 五、岐化反应 六、气相运输 一、热解反应(thermal decomposition/dissociation) 热分解反应是最简单的沉积反应，利用热分解反应沉积材料一般在简单的单温区炉中进行，其过程通常是首先在真空或惰性气氛下将衬底加热到一定温度，然后导入反应气态源物质使之发生热分解，最后在衬底上沉积出所需的固态材料。热分解发可应用于制备金属、半导体以及绝缘材料等。 二、还原(reduction)反应 许多元素的卤化物、羟基化合物、卤氧化物等虽然也可以气态存在，但它们具有相当的热稳定性，因而需要采用适当的还原剂才能将其置换出来。 三、氧化(oxidation)反应 与还原反应相反，利用O2作为氧化剂对SiH4进行的氧化反应为 四、置换(combination)反应 只要所需物质的反应先驱物可以气态存在并且具有反应活性，就可以利用化学气相沉积的方法沉积其化合物。 五、岐化(deviation)反应 某些元素具有多种气态化合物，其稳定性各不相同，外界条件的变化往往可促使一种化合物转变为稳定性较高的另一种化合物。 六、气相运输(vapor transportation) 当某一物质的升华温度不高时，可以利用其升华和冷凝的可逆过程实现其气相沉积。例如： 第二节 化学气相沉积过程的热力学 一、化学反应的自由能变化 二、化学反应的速度 三、化学反应路线与自由能变化 一、化学反应的自由能变化 对于一个化学反应总可以表达为：aA+bB=cC 自由能变化：△G=cGc-aGA-bGB 其中a、b、c分别为反应物和产物的mol数 Gi—是每mol i物质的自由能。 i=A，B，C 对于每种反应物： 当反应达到平衡时，利用平衡条件： △G=0 （内能不变） 即：△G 0 = -RTlnk 平衡时自由能的改变 ，其中， 为相应的平衡常数。 于是，任意时候自由能改变 其中， —为i物质的实际活度与平衡活度之比。ri — 代表的是该物质的实际的“过饱和度”。 说明 ： 当反应物过饱和，而产物欠饱和时， 即 △G0 反应沿正向自发进行；反之，△G0，则反应可沿反方向自发进行。 实际情况下，活度a与标准状态时的活度a0相差不大，这时△G= △G0。 各类物质的a0可以查标准热力学数据表。 例： 对于这样一个反应： 氧化铝和铝都是纯物质，活度值为1，氧气的活度值就等于其分压： 平衡时，氧分压为PO2=2×10-30Pa，实验中不可能，因此反应一般有向右进行的倾向。 结论： Al在1000℃ 的温度蒸发时，具有明显的氧化倾向。 2、热力学分析的局限性 （1）热力学分析可以解决的问题 a）化学反应的可能性 b）反应进行的条件、方向、以及限度 （2）局限性： a）它不能预测反应进行的速度。有些可能的反应在实际上讲得太慢，因而可以认为事实上是不能进行的。 b）热力学分析的基础是化学平衡，但实际的过程均是偏离平衡条件的。因此，热力学分析只是为我们提供了分析实际问题的一个出发点。 二、化学反应的速度 1.固体中元素的扩散问题 设某一元素的成分梯度为 ，相