第5章节 磁敏传感器.ppt

  1. 1、本文档共53页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第5章节 磁敏传感器

霍尔效应演示 5.4 霍尔式传感器的应用 微位移和压力的测量 5.2 集成霍尔传感器 集成霍尔传感器是利用硅集成电路工艺将霍尔元件和测量线路集成在一起的霍尔传感器。它取消了传感器和测量电路之间的界限,实现了材料、元件、电路三位一体。集成霍尔传感器由于减少了焊点,因此显著地提高了可靠性。此外,它具有体积小、重量轻、功耗低等优点。 5.2.1 开关型集成霍尔传感器 开关型集成霍尔传感器是把霍尔元件的输出经过处理后输出一个高电平或低电平的数字信号。 霍尔开关电路又称霍尔数字电路,由稳压器、霍尔片、差分放大器,施密特触发器和输出级五部分组成, 图5-7 霍耳开关集成传感器的工作特性曲线 工作特性有一定的磁滞BH,这对开关动作的可靠性非常有利。 图中的BOP为工作点“开”的磁感应强度,BRP为释放点“关”的磁感应强度。 霍耳开关集成传感器的工作特性曲线 霍耳开关集成传感器的技术参数: 工作电压 、磁感应强度、输出截止电压、 输出导通电流、工作温度、工作点。 VOUT/V 12 ON OFF BRP BOP BH B 0 5.2.2 线性集成霍尔传感器 线性集成霍尔传感器是把霍尔元件与放大线路集成在一起的传感器。其输出电压与外加磁场成线性比例关系。 一般由霍尔元件、差分放大、射极跟随输出及稳压四部分组成,霍耳线性集成传感器有单端输出和双端输出两种,其电路结构如5-8图。 霍尔线性集成传感器广泛用于位置、力、重量、厚度、速度、磁场、电流等的测量或控制。 单端输出传感器的电路结构框图 2 3 输出 + - 稳压 VCC 1 霍耳元件 放大 地 H 稳压 H 3 VCC 地 4 输出 输出 1 8 6 7 5 图5-8 双端输出传感器的电路结构框图 单端输出的传感器是一个三端器件,它的输出电压对外加磁场的微小变化能做出线性响应,通常将输出电压用电容交连到外接放大器,将输出电压放大到较高的电平。其典型产品是SL3501T。 双端输出的传感器是一个8脚双列直插封装的器件,它可提供差动射极跟随输出,还可提供输出失调调零。其典型产品是SL3501M。 霍耳线性集成传感器的主要技术特性 传感器的输出特性如图5-9,5-10: 磁感应强度B/T 5.6 4.6 3.6 2.6 1.6 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 输出电压U/V 图5-9 单端输出特性 图 5?10 双端输出特性 磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成,在P、N之间有一个较长的本征区I。本征区I的一面磨成光滑的无复合表面(为I区),另一面打毛,设置成高复合区(为r区),因为电子—空穴对易于在粗糙表面复合而消失。 5.3.1 磁敏二极管的工作原理和主要特性 5.3 磁敏二极管 1. 磁敏二极管的结构 图5-11 磁敏二极管结构示意图 (a)结构 (b)符号 当磁敏二极管末受到外界磁场作用时,外加正向偏压后,则有大量的空穴从P区通过I区进入N区,同时也有大量电子注入P区,形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合掉。 2. 磁敏二极管的工作原理 当磁敏二极管受到外界正向磁场作用时,则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区偏转,由于r区的电子和空穴复合速度比光滑面I区快,因此,形成的电流因复合速度而减小。 当磁敏二极管受到外界反向磁场作用时,电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向I区偏移,由于电子和空穴复合率明显变小,因此,电流变大。 利用磁敏二极管在磁场强度的变化下,其电流发生变化,于是就实现磁电转换。 (a) (b) (c) 图5-12 磁敏二极管工作原理示意图 3、磁敏二极管的主要特性 1).磁电特性:在给定的条件下,磁敏二极 管输出的电压变化与外加磁场的关系。 (a)单只使用 B / 0.1T 2.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 1.0 ΔU/V B / 0.1T 2.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 1.0 ΔU/V (b)互补使用 2)伏安特性:磁敏二极管正向偏压和通过其上电流的关系。 不同磁场强度H作用下,磁敏二极管伏安特性不同。例锗磁敏二极管的伏安特性。 1 3 5 7 9 2 1.5 1 0.5 0 -0.5 -1

文档评论(0)

ctuorn0371 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档