水热法制备压电双晶片的研究-中国科技论文在线.PDF

第29卷第3期 压 电 与 声 光 Vo1．29No．3 2007年6月 PIEZOELECTECTRICS ＆ ACOUSTOOPTICS Jun．2007 文章编号 ：1004—2474(2007)03—0331～04 水热法制备压 电双晶片的研究 杜立群 ，吕 岩。，董维杰。，高晓光。 (1．大连理工大学 精密与特种加工教育部重点实验室，辽宁 大连 1160232．大连理工大学 辽宁省微纳米技术及系统 重点实验室，辽宁 大连 116023；3．大连理工大学 电信工程学院，辽宁 大连 116023) 摘 要 ：用水热合成法在金属基板上制备 了压电双晶片，该法简单 ，成本低 。为 了更好地研究双 晶片的特性， 利用扫描 电镜 (SEM)和 x_射线衍射(XRD)技术，对 PZT薄膜的特性进行了较为详细的研究。发现PZT薄膜 由平 均尺寸约为 5“m的PZT晶粒组成 ，其物相组成成分 PbTiO。和PbZrO。的比值约为 53／47，处在准同型相界附近。 根据试验中测得数据 ，计算出了薄膜的平均密度 ；并建立了双晶片位移驱动模型，由该模型得到压 电系数 d。，并研 究了双 晶片的铁 电性 。 关键词 ：压电双晶片；PZT薄膜 ；水热合成法 中图分类号：TH703．2 文献标识码 ：A StudyonPiezoelectricBimorphsUsingPZT ThinFilms DepositedbyHydrothermalM ethod DULi-qun ，L0Yan ，DONGWei-jie。，GAOXiao-guang。 (1．KeyLab．forPrecision non—traditionalMachiningTechnologyofMinistryofEducation，DalianUniversityofTechnology，Dalian 116023，China；2．KeyLab．forMicro／NanoTechnologyandSystemofLiaoNingProvince，DalianUniversityofTechnology，Dalian 116023，China：3．SchoolofElectronicandInformationEngineering，DalianUniversityofTechnology，Dalian116023，China) Abstract：Piezoelectricbimorph fabricatedbyhydrothermalmethodispresentedinthepaper．InordertO de— scribethecharacteristicsofpiezoelectricbimorph，propertiesofPZT film arestudiedbySEM andXRD．Cubicparti— cleswithaveragesizeof5 “m arefoundandtheratioofPbTi03／PbZrO3inPZTisabout53／47，whichisaround morphotropicphaseboundary (MPB)；Densityisfiguredoutthrough thedatum measured in experiments．The modelusedtoanalyzethedrivingabilityofbimorph，which istaken intoaccounttheeffectofelasticintermediate layer，issetup。Piezoelectriccoefficientd3】ofPZT film isworkedoutusingthismode1．Finally，theferroelectric propertyofthebimorph isinvestigatedandcoerci