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(2011年第3期)--先进制造专刊 - 深圳清华大学研究院
深圳清华大学研究院产学研资讯
2011年第3期 (总93期)
深圳清华大学研究院技术创新部编印 2011-05
我院积极参加第三届中国(深圳)创新创业大赛
2011年5月26日,第三届中国(深圳)创新创业大赛新闻发布会在深圳市民中心召开,标志着本届大赛的工作正式全面展开,我院作为本次大赛的支持单位,创新部相关负责人参加了此次发布会,这也是研究院连续三届支持此项赛事。我院将为大赛提供实验室开放服务、创业培训与指导服务及创业资金支持等内容。
中国深圳创新创业大赛是国家科技部、发改委指导,由中国技术创业协会和深圳市人民政府联合主办的一项全国性创业大赛与企业组建联合实验室我院低碳节能实验室与湖南立发釉彩科技有限公司共建先进材料联合实验室,在无机非金属材料领域在公司现有技术和产品基础上改进公司现有产品质量提供技术服务检测服务以及新产品开发。陈建军任联合实验室主任。我院光机电实验室与生茂光电科技股份有限公司共建LED研发中心,该中心同时也是深圳清华大学研究院博士后科研工作站LED科研基地。光机电实验室将LED作为未来重点发展方向之一,生茂光电科技股份有限公司是一家专业从事半导体照明、智能交通控制产品研发、生产、销售与系统集成的高新技术企业,企业规模和经营业绩在国内同行业中排在前列。中心建立后,将依靠双方及外部的支持和投入,以较快的速度发展,成为国际、国内领先的研发中心和科研基地。
我院新添项发明专利近日,我院于20年2月申请的专利ZL200910105564.0 ”。产学研资讯 Β版 超精表面抛光技术及其应用
【成果简介】
先进电子制造水平代表了一个国家制造水平的高低,是制造技术的最前沿,超精表面抛光是先进电子制造中的关键技术之一。
从计算机硬盘存储密度提高、集成电路及LED技术飞速发展过程中出现的瓶颈问题入手,重点研究硬盘盘基片、集成电路硅晶片、LED蓝宝石基片等表面平坦化技术,并在关键技术上取得突破,获得系列拥有自主知识产权的产品和技术。
硬盘盘基片表面为NiP合金,最终加工要求全局平坦化,粗糙度Ra在0.1nm以下。我们采用化学和机械耦合作用的方法实现盘基片表面超精抛光。为了减少表面加工缺陷,提高平坦度,降低粗糙度,我们首先将抛光液中纳米颗粒粒度从50-60nm降低到15nm左右,同时发掘化学作用,探索出氧化剂的最佳pH值作用区,结合超精表面形成机理研究,最终获得理想的抛光质量,使Wa、Ra较传统技术显著降低,同时保证了高去除速率。
针对硅晶片和蓝宝石(Al2O3)晶片的材料特性和质量要求,通过调节抛光液中的氧化剂、pH值、腐蚀剂和制作工艺及其与Si、Al2O3的作用机制,在硅晶片抛光液要求循环使用寿命长和硬而脆的蓝宝石晶片难以大幅度提高抛光去除速率等技术难点上形成突破,研制出新型抛光液和平坦化工艺。
【成果所处阶段】
技术推广和产业化。
【效益分析】
超精表面抛光广泛应用于LED芯片、LED基板、集成电路芯片、硬盘磁头和盘片等先进电子制造领域,是上述产业的共性关键技术。
随着先进电子产品向微型化、高速化、高集成化方向发展,对器件表面质量提出更高要求。由于超精抛光关键技术被国外控制,抛光机台、抛光液、抛光垫等关键技术全部依赖进口,严重制约着超精加工技术的提高,已成为深圳乃至全国相关产业发展与产品技术提升的瓶颈。
因此,在超精抛光共性关键技术上形成突破,将获得系列拥有自主知识产权的超精抛光关键技术及抛光液、抛光垫等抛光材料,实现LED芯片、LED基板、IC芯片、硬盘等领域相关超精抛光产品的产业化,对产业升级、提升产品国际竞争力具有重要意义。
【应用范围和市场】
超精表面抛光广泛应用于LED芯片、集成电路芯片、硬盘磁头和盘片等先进电子制造领域,通过超精抛光产品产业化和相关领域技术提升,可以实现相当可观的经济效益。
【合作方式】
面议。
产学研资讯 C版
光学元件内应力、双折射和光学波片
相位延迟测量的新原理和仪器
——清华大学精仪系张书练教授荣获2010年度国家技术发明二等奖
2011年初,在国家科学技术奖励大会上,清华大学精仪系张书练教授怀着激动的心情,从国家领导人手中接过了2010年度国家技术发明奖获奖证书。这份奖励凝聚着张书练及其团队12年来的心血与汗水。而这长达12年的辛勤探索最初是源于一个多年悬而未决的理论难题。
从理论上说,光学材料和元件内都有残存应力,使得光束经过时发生双折射,双折射有可能导致成像质量降低从而影响系统性能。而相位延迟是光学元件内残存应力的度量
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