第6章常用半导体元器件.ppt

半导体的基本知识 杂质半导体—N型半导体 半导体的基本知识 杂质半导体—Ｐ型半导体 半导体的基本知识 一、PN结的形成 PN结的单向导电性 外加正向电压 正偏导通，呈低阻状态，电流较大 PN结的单向导电性 外加反向电压 反偏截止，呈高阻状态，电流近似为零 ＰＮ结具有单向导电性 正偏：在ＰＮ结上加正向电压时，ＰＮ结电阻很低，正向电流较大，ＰＮ结处于导通状态。 四、晶体管的主要参数 1．电流放大倍数 （1）共发射极直流电流放大倍数 静态时 与 的比值称为共发射极静态电流放大倍数，即直流电流放大倍数 （6-2） （2）共发射极交流电流放大倍数 （ ） 动态时，Δ 与 的比值称为动态电流放大倍数，即交流电流放大倍数 （6-3） 估算时， 。 2．极间反向电流 （1）集电极—基极反向饱和电流 是晶体管的发射极开路时，集电极和基极间的反向漏电流，又叫反向饱和电流，小功率硅管的 小于1μA，锗管的 约10μA。 的测量电路如图6-13a所示。 （2）穿透电流 为基极开路时，由集电区穿过基区流入发射区的穿透电流，它是 的（1+ ）倍，即 （6-4） 而集电极电流 为 （6-5） 的测量电路如图6-13b所示。 图6-13 极间反向电流的测量电路 的测量电路 的测量电路 3．极限参数 （1）集电极最大允许电流 当 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流，称为 。使用时， 超过 时晶体管并不一定会损坏，但 值将降低。 （2）集电极－发射极反向击穿电压 指基极开路时，加于集电极与发射极间的反向击穿电压，一般为几十伏至几百伏以上。 （3）发射极－基极反向击穿电压 指集电极开路时，允许加在发射极－基极之间的最高反向电压，一般为几伏至几十伏。 （4）集电极最大允许功耗 使用中应使 允许管耗线，如图6-14所示。 * * 第六章 常用半导体元器件 第一节 半导体二极管 第二节 晶体管 第三节 场效应管 返回主目录 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间 的物质称为半导体。常用的半导体有硅、锗等。 本征半导体 一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体 本征半导体虽有大量的价电子，但没有自由电子，此时半导体是不导电的。 第一节 半导体二极管 N 型 +5 +4 +4 +4 +4 +4 磷原子 自由电子 载流子数 ? 电子数 多数载流子 少数载流子 正离子 负离子 多数载流子 少数载流子 +3 +4 +4 +4 +4 +4 载流子数 ? 空穴数 硼原子 空穴 P 型 内建电场 P 型 N 型 PN结 空间电荷区 P 区 N 区 内电场 外电场 IF P 区 N 区 内电场 外电场 IR 反偏：加反向电压时，ＰＮ结电阻很高，反向电流很小，ＰＮ结处于截止状态。 二、二极管的结构和符号 半导体二极管，其结构与图形符号如图6-1，常见外形如图6-2。 P N ( 阳 极 ) 外 壳 阴 极 引 线 阳 极 引 线 + - + - ( 阳 极 ) ( 阴 极 ) ( 阴 极 ) a ) b ) V D 图 6 - 1 二极管的结构与图形符号 结构 图形符号 图6-2 常见外形图 三、二极管的伏安特性 二极管的主要特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图6-3所示。（以正极到负极为参考方向）。 1）外加正向电压很小时，二极管呈现较大的电阻，几乎没有正向电流通过。曲线 段（或 段）称作死区，点 （或 ）的电压称为死区电压，硅管的死区电压一般为0.5V，锗管则约为0.1V。 2）二极管的正向电压大于死区电压后，二极管呈现很小的电阻，有较大的正向电流流过，称为二极管导通，如