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多晶硅薄膜制备方法与压阻特性的研究 research on preparation and piezoresistive properties of poly silicon thin film
and
18 传感器与微系统(TransducerMicmsystemTechnologies) 2007年第26卷第4期
多晶硅薄膜制备方法与压阻特性的研究
刘晓为，宋明浩，王喜莲，潘慧艳，揣容岩
(哈尔滨工业大学MEMS中心，黑龙江哈尔滨150001)
摘要：对磁控溅射和低压化学气相淀积(LPcVD)2种方法制备的多晶硅薄膜的电学和压阻特性进行了
研究，并讨论了结晶化工艺对磁控溅射薄膜性质的影响。实验表明：LPcVD薄膜稳定性、重复性较好，应
变系数可达到20以上；磁控溅射薄膜经适当结晶化工艺处理具有纳晶硅的结构特征，应变系数可达到80
以上。利用扫描电镜(sEM)图片结合电阻率和应变系数的测试结果，讨论了2种方法制备出的多晶硅薄
膜应用于压阻式力学量传感器的可行性。
关键词：磁控溅射；低压化学气相淀积；多晶硅薄膜；应变系数；压阻特性
中图分类号：0738 文献标识码：A 文章编号：1000—9787(2007)04—0018一03
■ ■ 』■ J■
Research and
0n DleZ0reSlSnVeDr0DerUeS
preparation
of siliconthinfilm
poly
LIU
Xiao—wei，SONG Xi—lian，PANHui—yan，CHUAI
Ming—hao，WANG Rong—yan
Instituteof
(MEMSCenter，HarbinTechnology，Harbin150001，China)
and ofthe siliconfilms
Abstract：Theelectricitypiezoresistivepropeniespoly preparedbymagnetmnsputtering
andlow chemical aIsotheinnuenceofthe
pressuIB vapordeposition(LPCVD)areinvestigated，and crystallizing
onthecharacteristicsof filmalosisdiscussed．The resultsindicatethat
process magnetronsputtering experimental
the siliconfilm has and the coemcientis to20．
LPCVD
poly prepaI℃dby goodstabilityrepeatability，andgauge up
characteristicsof a!Llinesiliconare thefilm
correspondingly，stmcturalnaIlocryst analyzedbystudying preparedby
after the“lm’s coefbcientis t()80．With
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