多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究 experiment study on electrical properties of poly-silicon nanofilms.pdfVIP

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2017-11-02 发布于上海
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多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究 experiment study on electrical properties of poly-silicon nanofilms.pdf

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多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究 experiment study on electrical properties of poly-silicon nanofilms

and 2008年第27卷第8期传感器与微系统(Transducer Microsystem 多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究水刘晓为1，李金锋1，揣荣岩h2，施长治1，陆学斌1，吴娅静 (1．哈尔滨工业大学MEMS中心。黑龙江哈尔滨150001； 2．沈阳工业大学信息科学与工程学院，辽宁沈阳110023) 摘要：用低压化学气相淀积(LPCVD)法淀积了膜厚为60—250nm的多晶硅纳米薄膜，研究了膜厚和掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜电学特性的影响。结合扫描电镜(SEM)图片，在电阻率与电阻率温度系数测试结果的基础上，分析了膜厚和掺杂浓度对薄膜电学特性的影响。结果表明：重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的温度特性，电阻率温度系数可达到l×10“-3×10-4／℃的水平。关键词：多晶硅纳米薄膜；电学特性；掺杂浓度；膜厚中图分类号：0738 文献标识码：A 文章编号：1000-9787(2008)08-0045一03 Onelectrical!lectrical of tnemExperimentirstudystudyepxfpropertiespropertieso l●l■ … nanotilmS poly-silicon LIU Xiao—weil，LIJin-fen91，CHUMRong-yanl一，SHIChang—zhil，LUXue-binl，WU Ya-jin91 Center，HarbinInstituteof (1．MEMS Technology，Harbin150001，China； 2．InformationScienceand of EngineeringSchool，ShenyangUniversityTechnology， 11∞23．China) Shenyang llano·films from are Abstract：The withthicknesses60-250nm LPCVDto polysilicon depositedby investigate of of theinfluencethicknessan