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正向电流通过PN结时，电子与空穴复合释放能量产生光子。 2. 发光二极管（LED） 作业: P97 3.4.1 3.4.2 3.5.2 * * 3 二极管及其基本电路 3.1　半导体的基本知识 3.2　ＰＮ结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.1　半导体的基本知识 3.1.2 半导体的共价键 +4 3.1.1 半导体材料 电阻率： 103 ~109 ?cm 4价元素： 硅（14） Si 锗（32） Ge 3、5族化合物： 砷化镓GaAs 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 两种载流子： （1）自由电子 （2）空 穴： 3.1.4 杂质半导体 多数载流子：空穴 少数载流子：电子 1. P型半导体 2. N型半导体 多数载流子：电子 少数载流子：空穴 3.2 PN结的形成及其特性 多子扩散：浓度差 少子漂移：内电场 动态平衡形成 :PN结 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 外加正向电压使内电场减弱，多子扩散运动形成较大的正向电流IF IF随增加VF而增加 （mA级） 等效为正向电阻小 （1）外加正向电压 VF （2）外加反向电压 外加反向电压使内电场增强，少子的漂移运动形成较小的反向电流IR IR具有饱和特性（?A级） 等效为反向电阻大 （3）PN结V-I特性的表达式 id=Is(exp(vd/VT)-1) VT=kT/q 当T=300K时， VT=26mV 3. PN结的反向击穿 （1）雪崩击穿 （2）齐纳击穿 3.3 二极管 二极管 ：一个PN结就是一个二极管。 单向导电：二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。 符号： (1) 点接触型二极管 (2) 面接触型二极管 3.3.1 二极管的结构 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 PN结面积大，用 于大电流整流电路。 3.3.2 二极管的伏安特性曲线 式中IS 为反向饱和电流，VD 为二极管两端的电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。 (1) 正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5~0.8V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.2~0.3 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称死区电压或开启电压。 正向区分为两段： 当V ＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 (2) 反向特性 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 (3) 反向击穿特性 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 3.3.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF 在室温，规定的反向电压下，最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 二极管连续工作时，允许流过的最大整流电流的平均值。 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 二极管基本电路分析 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 二极管模型 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 当iD≥1mA时， vD=0.7V。 1. 理想模型 2. 恒压降模型 3. 折线模型（实际模型） 4. 小信号模型 二极管电路分析 1.静态分析 例1：求VDD=10V时，二极管的电流ID、电压VD 值。 解： 1. 理想模型 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 2. 恒压降模型 3. 实际模型 当iD≥1mA时， vD=0.7V。 2.限幅电路 VR Vm vi t 0 Vi VR时，二极管导通