硅的霍尔系数及电阻率的测量.pdf

9-1 硅的霍尔系数及电阻率的测量 霍尔效应是有关材料中的载流子在电场和磁场作用下所产生的效应。1879 年霍尔在研 究带电导体在磁场中受力性质时发现了这种效应，后来发现半导体中的霍尔效应比金属大几 个数量级。二十世纪的前半个世纪，它的研究一直推动着固体导电理论的发展，特别在半导 体电子论的发展中起着尤为重要的作用[1] 。霍尔系数和电导率的测量是分析半导体纯度及杂 质种类的一种有力手段，至今仍然是半导体材料和器件研制工作中不可缺少的一种基本测试 方法，在半导体测量技术中占有重要的地位。通过在不同温度条件下对霍尔系数及电阻率的 联合测量，不仅可以根据霍尔系数的符号确定载流子的类型，同时可以得到半导体的多种电 学参数。利用这些电学参数在理论上可以分析和研究半导体的导电特性和机理，在实践中有 利于半导体材料生长和器件性能的提高。利用霍尔效应制成的高斯计、霍尔安培计等在实际 测量中也有着重要的应用。 本实验目的是通过在不同温度条件下对高阻 p 型 Si 的霍尔系数和电阻率的测量，了解 半导体内存在本征导电和杂质导电两种导电机构；晶格散射和杂质散射两种散射机构；由霍 尔系数的符号确定载流子的类型，并且确定禁带宽度Eg 、净杂质浓度N A 、载流子浓度p 和n 及迁移率μ等基本参数。 一、原理 σ （一）电导率 与温度的关系 电导率σ 随温度的变化关系如图 9-1-1 中的ln σ− (1/ T ) 曲线所示，这里可分为三个区 域： 1．杂质部分电离的低温区。在这区域内不仅由于杂质电离产生的载流子随温度升高而 增加，而且迁移率在低温下主要取决于杂质散射，它 也随温度升高而增加。因此，在这温度区域内电导率 σ 随着温度的升高而增加。 2 ．杂质电离饱和的温度区。在这区域内杂质已 全部电离，但本征激发尚不明显，所以载流子浓度基 本上不变。这时在 p 型半导体中空穴浓度p 、杂质电 离产生的空穴浓度 p s 与受主杂质浓度 N A 相等，即 图9-1-1 硅的 ln σ−(1/ T ) 曲线 p = p s = N A 。这时晶格散射起主要作用，迁移率μ 随温度升高而下降，导致电导率σ 随温 度的升高而下降。 在 300K 温度下，p 型硅的电导率取决于晶格散射的空穴迁移率( μ ) = LP 300 2 480cm /(V⋅s)，通过电导率的测量可以求得受主杂质浓度N A 和p s 。在杂质电离饱和区内其 它温度的漂移迁移率( μ ) 与( μ ) 有下列关系： LP T LP 300 σ ( μ ) = ( μ ) Τ （9-1-1 ） LP T LP 300 σ 300 因此，通过杂质电离饱和区的电导率随温度的变化曲线，可以求得μ 随温度的变化。作 LP lg μ − lg T 图，可以更清楚地看出晶格散射迁移率与温度成μ = A T −x 的关系。 LP LP 3 ．产生本征激发的高温区。在这区域中，由于本征激发产生的载流子随温度上升而急 剧地增加，