退火对PECVD制备的掺磷硅薄膜及其电阻温度系数影响的研究.pdfVIP

　第 36卷 第 2 期 　 　　 　　　　　　人 　工 　晶 　体 　学 　报　　　 　　　　　Vol. 36　No. 2 　 2007年 4 月 　　　　　　　　　 JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S 　　　　　　　　　 Ap ril, 2007 　 退火对 PECVD 制备的掺磷硅薄膜 及其电阻温度系数影响的研究 1, 2 1 1, 2 1 马铁英 , 李 　铁 ,刘文平 , 王跃林 ( 1. 中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 ,上海 200050; 2. 中国科学院研究生院 ,北京 100039) 摘要 :本文对采用 PECVD 技术制备的不同掺杂比掺磷硅薄膜在不同退火时间和温度下的结构和电阻温度系数进 行了研究 。拉曼散射光谱结果表明:未退火样品主要为非晶 /微晶混合相 ; 当退火温度从 500 ℃上升到 700 ℃,薄膜 结构呈现出先向非晶相转变 ,后完全晶化的趋势 ,与此同时 , 电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度及退火温度的增加 而单调减小 。文中我们采用 Lu 的模型对上述实验结果进行了解释 ,认为由 SiP键构成的晶界势垒高度的变化是 上述实验结果的根本原因。 关键词 :退火 ;拉曼散射 ; 电阻温度系数 中图分类号 : O484 　 　 文献标识码 : A 　 　 文章编号 : 1000985X (2007) Influence of Annea ling on TCR of Phosphordoped Am orphou s S ilicon by PECVD 1, 2 1 1, 2 1 MA T iey ing , L I T ie , L IU W en p ing , WAN G Yuelin ( 1. State Key L aboratory of Tran sducer Technology, In stitu te of M icrosystem and Inform ation Technology, Ch inese A cademy of Sciences, Shanghai 200050 , Ch ina; 2. Graduate School of the Ch inese A cademy of Sciences, B eij ing 100039, Ch ina) (R eceived 10 O ctober 2006, accep ted 30 D ecem ber 2006) A b stract: In th is p ap er, the m icro structu re and temp eratu re coefficien t re sistance ( TCR ) of hydrogenated amorp hou s silicon w ith differen t p ho sp hor dop ing concen tration fab