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2017-09-17 发布于湖北
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device-3

MOS结构 MOS结构 MOS结构 MOS结构表面空间电荷层的六种基本状态理想MOS结构的C-V特性非理想MOS结构的C-V特性 MOS结构的应用之一——varactor 1 非理想与理想C-V特性差别功函数各种电荷的影响多晶硅耗尽效应反型层量子化 ….. 2 半导体的亲和能：材料的特性功函数： qφ=qχ+E /2+qφ s s g fp MOS 电容中三个分离系统的能带图功函数＝E真空－E费米：一个电子越过表面势垒所需要的能量 3 两种材料间的功函数差接触势多种材料间功函数差仅与最上层和最下层的有关 MOS结构中的功函数差由金属和半导体决定 MOS结构中的功函数差由金属和半导体决定 4 平衡系统中费米能级平直，真空能级连续，功函数不同能带弯曲金属为等势体，无能带弯曲能带弯曲只能发生在半导体或绝缘层中 φ φ 能带上弯 m s φ φ 能带下弯 m s 功函数差：与掺杂浓度有关 5 功函数无偏压时MOS结构中由于功函数差引起的表面能带弯曲 6 平带电压通过施加偏压进行补偿使能带平直，定义使表面能带变平，表面势为0，所需在栅上加的偏压不考虑氧化 V ϕ φ −φ 层中的电荷 FB ms m s 考虑相关电荷 V ϕ − Q0 FB ms C OX 7