Pd颗粒表面修饰ZnO纳米线阵列的制备及其气敏特性-发光学报.PDF

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2017-10-14 发布于天津
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Pd颗粒表面修饰ZnO纳米线阵列的制备及其气敏特性-发光学报

第３８卷　第８期发　光　学　报Ｖｏｌ３８Ｎｏ８２０１７年８月ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥＡｕｇ. ꎬ２０１７文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０８￣１０３３￣０６Ｐｄ颗粒表面修饰ＺｎＯ纳米线阵列的制备及其气敏特性 ∗ 杨志博ꎬ曹培江 ꎬ韩　舜ꎬ刘新科ꎬ柳文军ꎬ 贾　芳ꎬ 曾玉祥ꎬ许望颖ꎬ朱德亮ꎬ 吕有明 (深圳大学材料学院ꎬ广东省功能材料界面工程技术研究中心ꎬ深圳市特种功能材料重点实验室ꎬ广东深圳　５１８０６０) 摘要:采用化学气相沉积(ＣＶＤ)方法在ＳｉＯ/ Ｓｉ衬底生长了ＺｎＯ纳米线阵列ꎬ纳米线长约为１５ μｍꎬ直径为２１００~５００ｎｍꎮ 通过改变溅射沉积时间(０~１５０ｓ)ꎬ在ＺｎＯ纳米线表面包覆了不同厚度的Ｐｄ薄膜ꎮ 在Ａｒ气氛中ꎬ经８００ ℃高温退火后ꎬ制备出Ｐｄ颗粒表面修饰的ＺｎＯ纳米线阵列并对其进行了气敏测试ꎮ 对于乙醇而言ꎬ所有传感器最佳工作温度均为２８０ ℃ꎮ 溅射时间的增加(３~１０ｓ)导致ＺｎＯ纳米线表面Ｐｄ纳米颗粒数量及尺寸增加ꎬ传感器响应值由２.０增至３.６ꎮ 过长的溅射时间 (３０~１５０ｓ)将导致Ｐｄ颗粒尺寸急剧增大甚至形成连续膜ꎬ传感器响应度显著降低ꎮ 所有传感器对Ｈ均表现出相对较好的选择性ꎬ传感器具有较好的２响应￣恢复特性和稳定性ꎮ 最后ꎬ探讨了Ｐｄ颗粒表面修饰对ＺｎＯ纳米线阵列气敏传感器气敏特性的影响机制ꎮ 关　键　词:气敏特性ꎻＺｎＯ纳米线ꎻＰｄ颗粒ꎻ表面修饰中图分类号:Ｏ４８４.４ꎻＴＰ２１２.２　　　文献标识码:Ａ　　　ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ１０３３ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎａｎｄＧａｓＳｅｎｓｉｎｇＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＺｎＯＮａｎｏｗｉｒｅＡｒｒａｙｓＳｕｒｆａｃｅ￣ｄｅｃｏｒａｔｅｄｂｙＰｄＰａｒｔｉｃｌｅｓ ∗ ＹＡＮＧＺｈｉ￣ｂｏꎬＣＡＯＰｅｉ￣ｊｉａｎｇ ꎬＨＡＮＳｈｕｎꎬＬＩＵＸｉｎ￣ｋｅꎬＬＩＵＷｅｎ￣ｊｕｎꎬ ＪＩＡＦａｎｇꎬＺＥＮＧＹｕ￣ｘｉａｎｇꎬＸＵＷａｎｇ￣ｙｉｎｇꎬＺＨＵＤｅ￣ｌｉａｎｇꎬＬＹＵＹｏｕ￣ｍｉｎｇ (ＳｈｅｎｚｈｅｎＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｐｅｃｉａｌＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉａｌｓꎬＧｕａｎｇｄｏｎｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒｆｏｒＩｎｔｅｒｆａｃｉａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇｏｆＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉａｌｓꎬ ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＳｈｅｎｚｈｅｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＳｈｅｎｚｈｅｎ５１８０６０ꎬＣｈｉｎａ) ∗ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｐｊｃａｏ＠ｓｚｕ.ｅｄｕ.ｃｎＡｂｓｔｒａｃｔ:ＺｎＯｎａｎｏｗｉｒｅ (ＮＷ) ａｒｒａｙｓｗｅｒｅｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄｂｙｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ (ＣＶＤ) ｍｅｔｈｏｄｏｎＳｉＯ/ Ｓｉｓｕｂｓｔｒａｔｅ. ＴｈｅＰｄｆｉｌｍｓｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｔｉｍｅ (０－１５０ｓ)ｗｅｒｅｕｎｉｆｏｒｍｌｙ２ｄｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｏｆＺｎＯＮＷｓａｎｄ