第9章节稳恒磁场.ppt

I1 A B C D I2 A B C D I2 A B C D I2 A B C D I2 1 3 2 例：长直载流导线旁放一载流线圈，当线圈分别移至如图1、2、3位置时，力矩的功是否为0？ 一、洛仑兹力 1、 安培力的微观本质 2、洛仑兹力公式 安培定律 从微观看,电流为 安培力是运动电荷受到的磁场力的集体宏观表现。 金属中的自由电子受到磁场力作用不断地与晶格发生碰撞,把动量传递给导体,从宏观来看,这就是安培力。 ＋ Ｉ Ｉ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ §9-4　磁场对运动电荷的作用 所以 电流元中带电粒子数 因此,每个运动电荷所受磁力为 即洛仑兹力公式为 fm ⊥v 和B所组成的平面,即 fm恒⊥v,故洛仑兹力对运动电荷不做功。 fm fm 在磁场方向和运动方向都相同时，正、负电荷受力方向不同 比较如下两组公式 二、带电粒子在匀强磁场中的运动(忽略重力) 1、粒子速度 v0∥B 带电粒子以初速v0平行于B进入磁场 此时带电粒子在磁场中仍然作匀速直线运动。 2、粒子速度 v0⊥B ∵ fm⊥v0 ﹢ 带电粒子在垂直于B的平面内作匀速圆周运动，即有 ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ 回转半径 回转周期 回转频率 T、? 与速度无关 3、粒子速度v0与B斜交 回转半径 回转周期 螺距 这说明当同一种带电粒子以任意角度进入均匀磁场时，只要v∥相同，那么就有相同的螺距，而与v⊥无关。利用这一点可对带电粒子流进行磁聚焦，其在电子光学中有广泛的应用。 这时带电粒子在磁场中参与两种运动：以v⊥速率在垂直B的平面内作匀速圆周运动；以v∥速率在平行B的方向作匀速直线运动。即为螺旋线运动,若 磁聚焦 构成： 原理： ＊应用举例 　 由热阴极发出的电子，其发射方向各不相同（发射角不同，但与B的夹角?很小、均接近? ），因而各电子的橫向速度(于是回转半径）就各不相同，但发射出的电子经加速电场加速后，电子束获得的的纵向速度大体相同。即有 　由于电子作螺旋线运动的螺距与v?无关，而v//近于相等，故而其螺距亦近于相等。 　因此从P点进入匀强磁场的电子束，尽管其回转半径各不相同，但在每一个周期后，这些粒子又重新汇聚一次――这很像透镜的聚焦作用，故谓之磁聚焦。在电子显微镜中，是用电子束取代光束来照射样品，其中的电子束就是通过磁聚焦而获得。 例9－14　有一个电子在磁感应强度B为1.5×10-3T的均匀磁场中作螺旋线运动，已知螺旋线半径R=10cm，螺距h=20cm，电子的荷质比q／m=1.76×1011C／㎏,求电子运动速度v与B的夹角?和电子运动速度的大小。 解： 回转半径 螺距 联立，得 代入有关数据， 又 1、霍耳效应 实验证明：霍耳电势差 ①?式中RH 称作霍耳系数 ② 式中b为导体块顺着磁场方向的厚度。 实验表明：△U与导体块的宽度a无关。 三、霍耳效应 　1897年，霍耳在实验中发现：放在磁场中的导体块，当通有电流时，除了电流两端有电势差，在与磁场、电流均垂直的方向也有电势差－这就是霍耳效应。 Ｂ Ｉ 电子将向上偏转，使上侧带负电荷、下侧带正电，正、负电荷产生一个附加电场EH，于是运动电子又要受到附加电场的作用力fe，与fm方向相反。随着电荷增加、最终电场力与洛仑兹力平衡时 M N ２、霍耳系数的微观解释 　以带负电的载流子的金属导体为例：当电流向右时，导体中电子向左作定向运动，由洛仑兹公式 Ｂ Ｉ fm ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ fe 设单位体积内载流子数密度为n，则电流强度为 将上式与实验结果 相比，可知 而由场强与电势的关系有 ①???说明RH与载流子浓度n成反比： 在金属导体中，载流子浓度很高，故RH↓，UH↓。 在半导体中载流子浓度较低， RH↑，UH↑ ， 即在半导体中霍耳效应比金属中显著。 ＃载流子数浓度与单位体积内的原子数是两码事，不同金属有不同的自由电子数 ②?? 利用霍耳系数的正、负可判断半导体的类型。 若RH＞0 ，为P型半导体 若RH＜0 ，为n 型半导体。 ③?? 大多数金属的霍耳效应为负数，但有一些金属，如Zn,Cs (铯）,Pb,Fe等，它们的RH为正值，对这种现象只能用量子力学加以说明。 ＊当我们推导出RH时，是假定载流子以平均速率v运动的，但实际是不确切的，例如我们考虑一个简单的模型：载流子在一个自由程里，沿电流方向是作匀加速运动，那么上式就应加以修正。 修正后的 ※关于量子霍耳效应 由 这一比值具有电阻的量纲，因而被定义为霍耳电阻RH。此式表明霍耳电阻正比于磁场B。 1980年，在研究半导体在极低温下和强磁场中的霍耳效应时，德国物理学家