第三章节 BJT晶体管.pptVIP

* 3.3.1 载流子分布与电流分量 二、发射区少子空穴分布及其电流： 边界条件： 中性发射区空穴稳态方程 * 3.3.1 载流子分布与电流分量 若 ?? ，（3-3-11）式可以写作： 空穴电流为： * 3.3.1 载流子分布与电流分量 三、集电区少子空穴分布及其电流 边界条件： * 3.3.2 正向有源模式 一、少数载流子分布 在 的情况下，以及正向有源区的条件下 简化为： * 3.3.2 正向有源模式 当Xb/Ln=0.1（基区宽度小于扩散长度）时，正向有源模式下的各区少子分布如图3-11所示。 图3-11 正向有源模式下晶体管各区少数载流子分布 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 在正向有源模式下 ，且 有： * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 当晶体管处于放大状态 由上式可知：发射结电子电流随基区宽度的减小而增加 对于小的 ，运输因子接近于1，这意味着在越过基区的运输过程中，电子损失可以忽略。 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 空穴电流 正偏压发射结空间电荷区复合电流： 集电区空穴电流 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 忽略集电极反向饱和电流 上式说明 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 晶体管的输出特性曲线图 * 3.3.2 正向有源模式 三、共发射极电流增益 取ICE0＝0，取 以及 则共发射极电流增益的倒数可以写成： * 3.3.2 正向有源模式 三、共发射极电流增益 电流增益对集电结电流的依赖关系 在高电流时，电流增益下降，这是因为注入的少数载流子浓度与基区的多子浓度可比拟，致使发射极效率降低，结果在整个发射结电流中由基区向发射区注入的空穴电流增加，致使发射极效率降低，电流增益下降。 * 3.3.2 正向有源模式 三、共发射极电流增益 大电流下的增益计算式为3-3-28 大电流下的增益：增益反比于发射极电流。 * 3.4 埃伯斯-莫尔方程 用等效电路模型来描述BJT的电特性。 该模型由两个方程组成，称为E-M模型。 E-M方程适用于各种结构的BJT和BJT的各种工作模式。 * 3.4 埃伯斯-莫尔方程 3.4.1 埃伯斯－莫尔模型 电路模型：将NPN晶体管看做两个背靠背的互相有关联的二极管，这种关联是指一个二极管正向电流的大部分流入另一个反向偏置的二极管中。 * 3.4 埃伯斯-莫尔方程 (a) 图3-13 Ebers-Moll模型（a）NPN一维晶体管，（b）将晶体管表示为有公共区域的背靠背连接的二极管，（c）Ebers-Moll模型等效电路 （c） * 3.4 埃伯斯-莫尔方程 正向有源区：流过发射结的正向电流IF，大部分（ ）流入集电结 反向有源区：流过集电结的正向电流IR，大部分（ ）流入发射结 叫做正向共基极电流增益 叫做反向共基极电流增益 * 3.4 埃伯斯-莫尔方程 其中IF是发射结电压VE的函数，IR是集电结电压VC的函数。 2个二极管的电流可分别表示为（IF0和IR0分别是发射结和集电极的PN结反向饱和电流） （3-4-1） （3-4-2） * 3.4 埃伯斯-莫尔方程 则晶体管的端电流可表示为 从而得到E-M模型的基本方程为（3-4-5和6） 3.4 埃伯斯-莫尔方程 基区少数载流子电流InE 对于 的情形 基区空穴电流为: 下面分析方程中的四个参数（IF0、IR0、 、 ）与晶体管的结构参数和材料参数之间的关系。 * 3.4 埃伯斯-莫尔方程 将发射结空间电荷区的复合电流看做外部电流，则 把IpE、InE代入上式，得到（3-4-8） 类似的方法可以得到（3-4-10） 3.4 埃伯斯-莫尔方程 其中 可以看出 * 3.4 埃伯斯-莫尔方程 其中4个模型参数（IF0、IR0、 、 ）为： 由于a12 = a21，则 ，称为互易关系，从而4个模型参数中只有3个是独立的。 * 3.4 埃伯斯-莫尔方程 3.4.2 工作模式和少子分布 双极晶体管有四种工作模式，取决于发射结和集电结的偏置状况。 (1)正向有源工作模式： ?0， ?0 基区少子满足的边界条件为