扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究材料分享.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ) %%( ， ， ， N:9 *) K: * ODBD?@ %%( （ ） !%%%5’(%T%%(T) % T).$%5%) O/LO P,W1X/O 1XKX/O !%%( /C8A * PC;? * 1:G * 扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究! ） ） ） ） ） ） ! ! ! ! ! # 欧阳方平 王晓军 张 华 肖 金 陈灵娜 徐 慧 !）（中南大学物理科学与技术学院，长沙 $!%%’ ） ）（井冈山大学工学院，吉安 ’$’%%( ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %% !% !) %% ! ’ 采用基于密度泛函理论的第一性原理电子结构和输运性质计算，研究了扶手椅型石墨纳米带（具有锯齿边缘） 的双空位缺陷效应 研究发现：双空位缺陷的存在并没有改变石墨纳米带的金属特性，但改变了费米面附近的能带 * 结构 同时，双空位缺陷的取向对石墨纳米带的输运性质有很重要的影响 对于奇数宽度的纳米带，斜向双空位缺 * * 陷使得石墨带导电性能减弱，而垂直双空位能基本保留原有的线性伏安特性，导电性能降低较少；对于偶数宽度的 纳米带，斜向双空位缺陷会使石墨带导电性能明显增强，而垂直双空位缺陷则具有完整石墨带的输运性质* 关键词：石墨纳米带， 双空位缺陷，电子结构，输运性质 )) ： ， ， ， !## +!!), +!)) +!!)- !.%/ 缺陷效应，利用第一性原理方法研究)) 双空位缺 !H 引 言 陷对扶手椅型石墨纳米带电子结构和输运性质的 影响* 单层石墨片的成功剥离和石墨纳米带（ BI7=CEAE A7A:I8JJ:A?）的成功制备引起了人们对此类碳基纳米 H 计算方法与模型 ［— ］ 材料研究的极大热情! . * 这种石墨纳米带具有类 ［，］ + 似碳纳米管（ ）的结构和量子限域效应 ，是 在本工作中模型石墨纳米带的定义方法与我们 /KL?