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第三章 通信用光器件 光源 光检测器 光无源器件 通信用光器件 有源器件： 发光器件：激光二极管(LD)、发光二极管(LED) 光接收器件：光电二极管：PIN、APD 光放大器：EDFA、SOA、FRA、FBA ——光发射、接收、中继的关键器件，决定光纤传输系统的水平 无源器件： 光纤连接器、光纤耦合器、光开关、光隔离器、光调制器、光波分复用器、光衰减器、光环行器、光波长转换器、偏振控制器。 ——系统构成、功能扩展、性能提高。 光源 光源是光发射机的关键部件。 功能：将电信号转换为光信号。 通信用光源种类： 半导体激光二极管(LD: Laser Diode) 发光二极管(LED: Light Emission Diode) 固体激光器 3.1 光源 半导体激光器工作原理和基本结构 半导体激光器的主要特征 分布反馈激光器 发光二极管 半导体光源一般性能和应用 半导体激光器工作原理和基本结构 基本原理——产生激光的条件： 有源物质：PN结； 粒子数反转：电流激励； 受激辐射：产生频率、相位、偏振状态、传播方向特定的光； 谐振腔正反馈：实现光放大，选频、选向； ——激光：LASER: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation 半导体激光器工作原理和基本结构 发光机理：电子跃迁 半导体激光器工作原理和基本结构 受激辐射 电子在基态和激发态之间的跃迁方式： 半导体激光器工作原理和基本结构 粒子数反转分布 E1粒子数：N1；E2粒子数：N2 热平衡状态的粒子数分布： k=1.38×10-23J/K，玻尔兹曼常数 ∵E2E1, ∴N1N2——电子首先占据低能级轨道 N2N1时，受激辐射受激吸收，光放大，激活物质； N2N1时，受激辐射受激吸收，光衰减，吸收物质； N2N1 ，称粒子数反转。 PN结的能带和电子分布 PN结的能带和电子分布 PN结的能带和电子分布 本征半导体 PN结的能带和电子分布 本征半导体 T=0K(绝对0度)，价电子完全被共价键束缚，没有自由载流子，导电能力为0，是绝缘体； T=293K(常温)，部分价电子脱离共价键，形成自由电子，同时共价键上留下一个空位：空穴。 由热激发出现的自由电子与空穴成对出现，称电子空穴对；游离的自由电子也可能回到空穴，称电子空穴复合。 PN结的能带和电子分布 本征半导体特性： 两种载流子，自由电子和空穴数量相等。 温度越高，载流子的浓度越高，因此本征半导体的导电能力越强。 掺杂半导体：在本征半导体中掺入某些微量杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N型半导体：自由电子浓度大大增加的掺杂半导体； P型半导体：空穴浓度大大增加的掺杂半导体； PN结的能带和电子分布 不同类型半导体能带和电子分布 PN结的能带和电子分布 PN结的能带和电子分布 激光振荡和光学谐振腔 激光产生： 粒子数反转+光学谐振腔(选频、选向)——连续光放大。 谐振腔组成：两个相互平行的发射镜R1、R2。 F-P (Fabry-Perot)腔。 激光的获得：腔内激活物质自发辐射做入射光； 反射镜反射轴线方向的光实现光放大； 多次反射反馈后，改善方向，提高增益。 激光振荡和光学谐振腔 激光振荡和光学谐振腔 激光振荡阈值条件： 损耗：激活物质吸收；反射镜的反射与投射。 增益与损耗平衡：稳定激光振荡。 激光振荡相位条件： 半导体激光器的基本结构 基本结构：双抑制结(DH)平面条形结构(三种半导体材料). 有源层：窄禁带P型半导体，厚度：0.1~0.3μm； 限制层：宽禁带P型和N型半导体； 晶体前后解理面，作为FP腔。 三种半导体材料不同，光发射频率不同。 半导体激光器的基本结构 DH激光器工作原理： 限制层帯隙有源层帯隙，正向偏压使P空穴和N电子注入有源层； 限制层帯隙有源层帯隙，注入有源层的空穴和电子不扩散，而形成粒子数反转；只要很小的外加电场就获得大浓度电子和空穴，可提高效益； 有源层折射率比限制层高，激光被限制在有源区，电/光转换效率高；输出激光阈值电流很低，小散热体可实现室温运行。 半导体激光器的主要特征 发射波长和光谱特性 激光束的空间分布 转换效率和输出光功率 频率特性 温度特性 发射波长和光谱特性 发射波长：决定于电子跃迁释放能量，近似为禁带宽度。 发射波长和光谱特性 激光束的空间分布 描述：近场和远场 近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布； 远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。 决定因素：谐振腔的横向尺寸，即PN