拓朴绝缘体碲化铋微米薄片的反弱局域现象.PDF

拓樸絕緣體碲化鉍微米薄片的反弱局域現象 Weak antilocalization in topological insulator Bi Te   2 3 microflakes      拓樸絕緣體材料的研究 與開發是近年的一個 重要凝態科技領域，碲化鉍則 是其中很受矚目的量子物質材 料之一。我們量測和分析單晶 碲化鉍微米尺度薄片的低溫傳 Magnetoresistance  of  Bi Te   microflakes  in  perpendicular  2 3 輸特性，發現導電過程呈現了 magnetic fields. The Magnetoresistance is positive, indicating  weak antilocalization effect.  顯著的二維反弱局域現象。   項觀測到二維（即表   這面）反弱局域和加強的 e  have  carried  out  electrical‐transport  Wmeasurements  on  single‐crystalline  電子 —電子相互作用行為的低 topological insulator  Bi Te   microflakes down to  溫電子傳輸實驗結果，有重要 2 3 sub‐kelvin temperatures and  in  magnetic fields.  基礎和應用意義。這項結果顯 Significant two‐dimensional weak‐antilocalization  示在這類新穎拓樸絕緣體材料 effect was found, indicating the inherited strong  中，存在著本徵的強自旋 —軌 spin‐orbit  coupling  in  this  unique  class  of  道耦合特性，從而在體能隙 中，形成了二維的金屬表面 low‐dimensional quantum matter.  he weak‐antilocalization effect was analyzed  態，有著獨特的准相對論線性 Tand ascribed to multiple conduction channels.  色散屬性。現今世界上許多科 The first channel was the metallic bulk channel  學家相信，拓樸絕緣體材料的 resulting from a high level of defect doping. The  研究與開發，將有利於自旋電 子學元件和量子計算科學的發 second  channel  is  of  particular  interest,  which  manifested the existence of Dirac surface