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第十章工艺集成cmos1
* * 第十章 工艺集成 所谓工艺集成，将是采用不同工艺技术、按照一定的顺序在硅片上形成电路结构的制造过程。 目前主要工艺有： 1 CMOS 集成度高，功耗低 ，适合大规模数字集成电路 2 Bipolar 集成度低，驱动能力高，速度快，适合于模拟集成电路 3 BiCMOS 兼有两种优点。 10.1 集成电路中的隔离 10.1.1 MOS集成电路中的隔离 N+(源漏） SiO2 Metal Gate Oxide Field Oxide G S/D G S/D S/D S/D 场开启 防止场区寄生场效应晶体管的开启： 提高寄生场效应晶体管的阈值电压，使寄生场效应晶体管的阈值电压高于集成电路的工作电压。 提高场效应晶体管阈值电压方法： 一 增加场区二氧化硅的厚度（为栅氧化层7～10倍）； 二 增大氧化层下沟道的掺杂浓度，即形成沟道阻挡层，从而提高阈值电压。 场氧制备——局部场氧化（LOCOS:local oxidation of silicon) 硅衬底 二氧化硅：20～60nm Si3N4:100～200nm 氧化 硅衬底 问题： 1 薄SiO2层作用？ 2 Si3N4作用？ 鸟嘴效应： 由于氧化剂能够通过衬底SiO2层横向扩散，将会使氧化反应从氮化硅薄膜的边缘横向扩散，在氮化硅的边缘到内部生成生成逐渐变薄的二氧化硅层，该部分的形状和鸟的嘴部类似，通常称为鸟嘴（bird’s beak) LOCOS隔离工艺的改进 目的：除去鸟嘴部分； 方法：多晶硅缓冲层的LOCOS,界面保护的局部氧化、侧墙掩蔽隔离。 浅沟槽隔离工艺 10.1.2 双极集成电路中的隔离 采用结隔离 标准埋入集电极 隔离 隔离 10.2 CMOS工艺 80年代工艺 低功耗的需求导致CMOS IC代替NMOS IC; 最小特征尺寸：3um到0.8um 晶圆大小：100mm(4in)到150mm(6in)
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