第二章节蒸发法薄膜制备.pptVIP

第二章、真空蒸发镀膜 1.真空蒸发原理 2.蒸发特性及膜厚分布 3.蒸发源的类型 4.合金及化合物的蒸发 5.膜厚和淀积速率的测量与监控 物理气相沉积 特点（与CVD相比） 1.真空蒸发原理 ①定义：简称真空蒸镀，在真空腔室中加热原材料，使其以原子或者分子的形式逸出（熔化升华），形成蒸气流，入射到基片表面并凝结成连续薄膜的方法。 真空蒸发的过程 1.真空蒸发原理——决定因素① ①饱和蒸气压：气—液平衡称为饱和，饱和状态的气体与液体分别称为饱和气体与饱和液体，该状态下的压力称为饱和蒸气压。 ?蒸气压方程—控制温度与压强 Step1：克拉伯龙——克劳修斯方程 1.真空蒸发原理——决定因素② ②蒸发速率：单位面积上，单位时间内从气相到达固相表面并能够停留的分子数。 ?以质量表示的最大蒸发速率 ?温度变化对蒸发速率的影响 1.真空蒸发原理——决定因素③ 决定因素③蒸气分子平均自由程与碰撞几率 2.真空蒸发制膜的纯度 残余气体杂质浓度公式 3.蒸发制膜的厚度分布及蒸发源特性 ●假设： 1蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞； 2在蒸发源附近的蒸发原子间也不发生碰撞 3蒸发原子到达基板上后不发生再蒸发现象 (1)点蒸发源膜厚分布 源—基距、基片尺寸对膜厚分布的影响 (2)小平面蒸发源的膜厚分布 课堂思考 5. 蒸发源的类型 最常用的加热方式： 电阻法、 电子束法、 高频感应 激光 一、电阻蒸发源 蒸发源材料的要求 1）熔点要高，熔点要高于被蒸发物质的蒸发温度（多在1000~2000℃）； 2）饱和蒸气压低，减少蒸发源材料蒸气的污染.要求：蒸发材料的蒸发温度低于蒸发源材料在平衡蒸气压为10-8托时的温度。 3）化学性能稳定，不与镀料反应。 4）耐热性好，热源变化时，功率密度变化较小。 5）经济耐用。 金属电阻蒸发源材料 金属蒸发源与镀料的反应 镀料熔化后，若有沿蒸发源扩展的倾向时，两者是浸润的。反之，是不浸润的。浸润时，为面蒸发源，蒸发状态稳定。不侵润时，为点蒸发源，若用丝式蒸发源时镀料易脱落。 各种形状的电阻蒸发源 2）蒸发舟 3）外热坩埚 二、电子束蒸发源 ●定义：将镀料放入水冷铜坩埚中，利用高能电子束轰击镀料，使其受热蒸发。 电子束加热的特点 一、优点： 1）采用聚焦电子束，功率密度高，可蒸发高熔点 镀料（3000℃以上）如W，Mo，Ge，SiO2， Al2O3等。 2）采用水冷坩埚，可避免坩埚材料的蒸发，及 坩埚与镀料的反应，制得高纯度薄膜。 3）热量直接加在镀料上，热效率高，传导，辐射 的热损失少。 二、缺点： 1）电子枪发出的一次电子和蒸发材料发出的二 次电子会使蒸发原子和残留气体电离，影响 膜层质量。 2）多数化合物在受到电子轰击时会部分分解。 3）设备结构复杂，昂贵。 4）当加速电压过高时产生软X射线会对人体有伤 害。 4）电子束蒸发源的结构 ●直枪 ● 偏转枪 e型枪优点 三、高频感应蒸发源 ●原理：将镀料放在坩埚中，坩埚放在高频螺旋线圈的中央，使镀料在高频电磁场的感应下产生涡流损失和磁滞损失（对铁磁体）而升温蒸发。 二）特点： 1）蒸发速率大，可比电阻蒸发源大10倍左右。 2）蒸发源的温度均匀稳定，不易产生飞溅现象。 3）镀料是金属时可自身产生热量，坩锅可选用与蒸发材料反应最小的材料。 三）缺点： 1）蒸发装置必须屏蔽，否则会对广播通讯产生影响。 2）线圈附近压强超过10-2Pa时，高频电场会使残余气体电离。 3）高频发生器昂贵。 四、激光蒸发 激光器 CO2激光——连续激光 脉冲激光 脉冲激光烧蚀（Pulsed Laser Ablation） PLA成膜过程 (1) 激光与靶的作用过程 (2) 等离子体的定向局域等温绝热膨胀发射 (3) 在基板上沉积形成薄膜 PLA的主要特点 6. 合金及化合物的蒸发 一）合金的蒸发 所以 式中WA、WB为重量比 上式说明当合金成分一定时，各组元的蒸发速率与 成正比。 例：1527℃时蒸发镍铬合金（Ni80%，Cr20%）。 Pcr=10-1Torr PNi=10-2Torr ∴在蒸发初期，富铬，导致薄膜有良好附着力。 活度系数 活度修正 经时变化（ Z≠1 ） （1） 瞬时蒸发法 又称“闪蒸法”，将细小的合金颗粒，逐次送到非常炽热的蒸发器中，使颗粒在瞬间完全蒸发。 （2）双源或多源蒸发法 将合金的每一成分，分别装入各自的蒸发源中，然后独立地控制各蒸发源的蒸发速率，以控制薄膜的组成。 为了使