04工艺-注入.pdf

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2017-09-16 发布于湖北
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04工艺-注入

IC制造流程集成电路工艺之 Materials IC Fab Dielectric Test Metalization CMP deposition Wafers Thermal Implant Etch Packaging 离子注入 Masks Processes PR strip PR strip Photo- Final Test lithography Design 内容半导体掺杂（1）离子注入与扩散掺杂（2 ）注入离子的微观运动过程（3 ）离子路径和浓度分布 • 两种基本掺杂方法（4 ）相关效应 – 扩散掺杂（5 ）晶格损伤和修复 – 离子注入掺杂（6 ）离子注入机系统介绍（7 ）离子注入的典型应用举例扩散掺杂扩散掺杂 • 最先被采用的半导体掺杂技术自1970年中期开始离子注入技术 • 是早期集成电路制造中最重要的技术之一，高温炉通称为“扩散炉” 。被广泛采用。 • 需在高温炉中进行扩散技术目前主要应用于杂质的 • 需使用二氧化硅作掩膜 • 无法独立控制结深和浓度