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EMI(1级2级)滤波器设计方法
此培训资料来源于德州仪器(TI )和中国电源学会(世纪电源网)合作
举办的“TI 现场培训”课程,世纪电源网同意在 TI 网站上分享这些文档
。
第三讲
EMI滤波器设计方法
主讲:陈为 博士
福州大学电气工程与自动化学院 教授
中国电源学会常务理事、磁技术专业委员会主任委员
功率变换器磁元件技术系列讲座
2015年3月
1
主要内容
一、开关电源EMI基本概念
二、EMI滤波器理想参数的设计
三、EMI滤波器元件分布参数提取
四、滤波器元件近场耦合效应分析
2
高频磁性元件的全面设计考虑
结构设计 电气设计 杂散参数 损耗设计 温升设计 EMI设计
2 P
0.833
N A
L e T( )
l S
e
空间可行性 电气可行性 电应力 效率/功率密度 温升规范 EMI规范
3
二、EMI滤波器理想参数设计
4
滤波器插入损耗IL的定义
在滤波器的设计中,通常用插入损耗来反映使用该滤波
器和未使用前信号功率的损失和衰减程度。插入损耗越大,
表示衰减越多,滤波器的效果越好。
+ +
50 50 50 50
v1 v2 滤波器
v v
- -
v1
插入损耗: IL 20log( )
v2
5
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